本公开提供一种半导体结构的形成方法。半导体结构的形成方法包括形成多个第一装置于基板的第一区中，其中每一第一装置具有第一数目的鳍状物；形成多个第二装置于基板的第二区中，且第二区与第一区不同，其中每一第二装置具有第二数目的鳍状物，且第二数目与第一数目不同；形成多个第一凹陷于第一装置的鳍状物中，其中第一凹陷具有第一深度；在形成第一凹陷之后，形成多个第二凹陷于第二装置的鳍状物中，其中第二凹陷的第二深度与第一深度不同；成长第一外延的源极/漏极区于第一凹陷中；以及成长第二外延的源极/漏极区于第二凹陷中。