- 专利标题： 具有由粘合层连接的源极触点的三维存储器件及其形成方法
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申请号： CN202110122506.X申请日： 2019-08-30
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公开(公告)号： CN112768464B公开(公告)日： 2023-06-02
- 发明人: 夏正亮 , 黄攀 , 徐伟 , 严萍 , 霍宗亮 , 周文斌
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 代理机构： 北京永新同创知识产权代理有限公司
- 代理商 张殿慧; 刘健
- 主分类号： H10B43/35
- IPC分类号： H10B43/35 ; H10B43/40 ; H10B43/27
摘要：
一种三维(3D)存储器件包括衬底之上的存储器堆叠层。存储器堆叠层包括交织的多个导体层和多个绝缘层。所述3D存储器件还包括在存储器堆叠层中竖直延伸的多个沟道结构。所述3D存储器件还包括在存储器堆叠层中延伸的源极结构。所述源极结构包括将该源极结构分成第一和第二区段的支撑结构。所述源极结构还包括粘合层。所述粘合层的至少一部分延伸穿过支撑结构并将第一和第二区段导电连接。
公开/授权文献
- CN112768464A 具有由粘合层连接的源极触点的三维存储器件及其形成方法 公开/授权日：2021-05-07
