本发明公开了一种基于p‑i‑n结构的栅控氧化镓场效应晶体管及其制备方法，主要解决目前n型氧化镓场效应晶体管击穿电压较低，不易关断的问题。其自下而上包括：Ga2O3衬底、n‑Ga2O3外延层，该外延层上部的两端设有离子注入区，中间区域设有栅电极；离子注入区的上部分别设有源电极和漏电极；其内表面及栅电极分别与源电极和漏电极之间的n‑Ga2O3外延层之上设有Al2O3保护层；该外延层与栅电极之间设有i‑Ga2O3薄膜层和p型NiO薄膜层，该p型NiO薄膜层、i‑Ga2O3薄膜层和n‑Ga2O3外延层构成p‑i‑n结构。本发明提高了器件的性能和可靠性，可用于制备击穿电压高的增强型氧化镓器件。