发明授权
- 专利标题： 一种高效三结砷化镓太阳电池及制作方法
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申请号： CN202011235406.X申请日： 2020-11-09
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公开(公告)号： CN112103356B公开(公告)日： 2021-03-02
- 发明人: 徐培强 , 宁如光 , 林晓珊 , 万智 , 张银桥 , 潘彬 , 王向武
- 申请人： 南昌凯迅光电有限公司
- 申请人地址： 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号
- 专利权人： 南昌凯迅光电有限公司
- 当前专利权人： 南昌凯迅光电股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号
- 代理机构： 南昌金轩知识产权代理有限公司
- 代理商 孙文伟
- 主分类号： H01L31/0352
- IPC分类号： H01L31/0352 ; H01L31/0725 ; H01L31/18
摘要：
本发明公开了一种高效三结砷化镓太阳电池及制作方法，太阳电池自下向上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、中底隧穿结、第一组DBR，中电池、中顶隧穿结、顶电池和盖帽层；其中，中电池由第二组DBR，In0.01GaAs基区，GaInP发射区和AlInP窗口层组成。通过双层DBR的引入，可大幅降低中电池基区的厚度，提高产品的辐照性能，同时，由于厚度的降低，可降低载流子迁移过程的复合几率，提高开路电压和短路电流密度。
公开/授权文献
- CN112103356A 一种高效三结砷化镓太阳电池及制作方法 公开/授权日：2020-12-18
IPC分类:
