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公开(公告)号：CN118693615A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411178458.6
申请日：2024-08-27
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体是涉及一种VCSEL阵列芯片及其制造方法，该VCSEL阵列芯片自下而上依次为背面电极、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N‑DBR、N‑限制层、多量子阱有源层、P‑限制层、氧化层、P‑DBR、P+GaAs、TaN薄膜层、接触电极、正面电极；VCSEL阵列芯片的出光孔呈阵列排布；正面电极为分离式正面电极，分别位于焊线区域和出光孔的接触电极区域，并通过所述TaN薄膜层相连接。本发明通过从芯片结构上进行优化，出光孔阵列排布，正面电极分离设置，并通过TaN薄膜层进行连接，在保证导电的同时降低了电极材料Au的消耗，大大降低成本、提高可靠性，加工方便。
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公开(公告)号：CN118053943B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410451140.4
申请日：2024-04-16
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0687 , H01L31/0352
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种砷化镓三结太阳电池的外延生长方法，包括在一GaAs衬底上依次外延生长腐蚀截止层、第一接触层、顶电池、第一隧穿结、中电池、第二隧穿结、应变缓冲层、底电池、第二接触层；应变缓冲层采用组分阶变的方式生长，共8层；每生长一层应变缓冲层时，先生长一层成核层。本发明通过在生长每一层应变缓冲层时先生长一层表面粗糙的成核层，然后进行高温退火使晶体内部的原子重新排列，修复晶格结构，减少晶体内部的缺陷，退火后继续生长缓冲层，长完后再进行低温退火消除残余应力，将位错过滤在缓冲层的初始阶段，能有效避免缺陷在继续生长外延材料时进一步放大，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN117712830B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410159974.8
申请日：2024-02-05
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及激光器技术领域，具体涉及一种垂直腔面发射激光器及其制作方法。上述垂直腔面发射激光器，包括：GaAs衬底，以及在所述GaAs衬底上依次设置的GaAs缓冲层、N型DBR层、N型限制层、多量子阱有源层、P型限制层、P型DBR层、P型GaAs帽子层和导电增透膜层；其中，所述P型DBR层局部区域通过离子注入形成贯通所述P型DBR层的环状离子注入带，所述环状离子注入带将所述P型DBR层分成环内的第一非离子注入区，以及环外的第二非离子注入区，且所述第二非离子注入区将所述环状离子注入带完全包围。该结构可以实现单一激光模式，同时具有输出功率高、低阈值电流，器件可靠性高和加工过程简易的优点。
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公开(公告)号：CN117525233A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202410015099.6
申请日：2024-01-05
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/44 , H01L33/30 , H01L33/20 , H01L33/00
摘要： 本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种小尺寸红光LED芯片及其制造方法。该芯片由下至上依次包括背面电极、GaAs衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、P型GaP层和透明导电薄膜层；透明导电薄膜层远离所述GaAs衬底一侧的局部表面覆盖有正面电极；P型GaP层上表面具有向下刻蚀形成的凹陷部，凹陷部中设置有用于将凹陷部填满的凸起部，且凸起部的上端面与所述P型GaP层齐平或者高出P型GaP层并嵌入所述透明导电薄膜层，凸起部包括绝缘填充层。本申请提供的LED芯片结构能够解决现有技术存在的出光亮度低、焊线挖电极、可靠性差中的至少一个技术问题。
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公开(公告)号：CN116544329B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310825779.X
申请日：2023-07-07
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
发明人： 陈宝
摘要： 本发明涉及半导体器件加工领域，尤其涉及一种带微透镜阵列结构ITO薄膜的LED芯片及其制备方法。该带微透镜阵列结构ITO薄膜的LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有缓冲层、布拉格反射层、n‑AlGaInP限制层、多量子阱有源层、p‑AlGaInP限制层和GaP窗口层，在GaAs衬底的下面制作N‑电极；所述GaP窗口层上设置有ITO薄膜层，ITO薄膜层上设置有P‑电极，在ITO薄膜层P‑电极覆盖区域外通过蚀刻形成若干个均匀分布、向下凹、具有非常规曲面的微透镜，光在ITO薄膜层的非常规曲面表面发生折射现象，实现对不同方向的光源进行光路调节，提升LED芯片产品的亮度和出光光效。
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公开(公告)号：CN116613626A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310896576.X
申请日：2023-07-21
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体是涉及一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法，该VCSEL芯片自下而上依次是背面SiN层、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N‑DBR、氧化层、N‑限制层、多量子阱有源层、P‑限制层、P‑DBR、GaAs CaP层、P电极、SiN层、N电极、聚酰亚胺、双电极P极和双电极N极，双电极P极和双电极N极位于所述VCSEL芯片同侧，且材料均为Ti/Pt/Au/AuSn金属材料。本发明通过对芯片材料结构进行优化，同时通过优化封装材料及形式，以贴片方式封装，可有效解决VCSEL芯片的散热问题，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN116544329A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310825779.X
申请日：2023-07-07
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
发明人： 陈宝
摘要： 本发明涉及半导体器件加工领域，尤其涉及一种带微透镜阵列结构ITO薄膜的LED芯片及其制备方法。该带微透镜阵列结构ITO薄膜的LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有缓冲层、布拉格反射层、n‑AlGaInP限制层、多量子阱有源层、p‑AlGaInP限制层和GaP窗口层，在GaAs衬底的下面制作N‑电极；所述GaP窗口层上设置有ITO薄膜层，ITO薄膜层上设置有P‑电极，在ITO薄膜层P‑电极覆盖区域外通过蚀刻形成若干个均匀分布、向下凹、具有非常规曲面的微透镜，光在ITO薄膜层的非常规曲面表面发生折射现象，实现对不同方向的光源进行光路调节，提升LED芯片产品的亮度和出光光效。
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公开(公告)号：CN114335215A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210249010.3
申请日：2022-03-15
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0687 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及砷化镓太阳电池技术领域，具体涉及一种带有渐变隧穿结的砷化镓太阳电池及其制作方法，该电池自下向上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、第一隧穿结、DBR、中电池、第二隧穿结、顶电池和盖帽层；第一隧穿结和第二隧穿结结构相同，均采用渐变隧穿结结构N++Alx1Gay1InP/P++Alx2Gay2As，其中x1、y1的范围为0‑0.51，x2的范围为0‑0.5，y2的范围为0.5‑1。本发明太阳电池采用渐变隧穿结结构，可提升隧穿结的隧穿能力，降低隧穿结两侧的压降，减少隧穿结的吸光能力，提升中电池的电流密度，还可改善隧穿结界面的晶体质量，提高太阳电池产品的稳定性。
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公开(公告)号：CN113594285A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202111155240.5
申请日：2021-09-30
申请人： 南昌凯迅光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种正向四结砷化镓太阳电池及其制作方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、Ge底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、InyAlGaAs缓冲层、第一组DBR、第一子电池、第二隧穿结、第二组DBR、第二子电池、第三隧穿结、AlGaInP顶电池；所述第一子电池由InxAlGaAs背电场，InxGaAs基区，分段式量子点InxGaAs发射区及第一AlInP或GaInP窗口层组成；所述第二子电池由InxAlGaAs背电场，InxAlGaAs基区，分段式量子点InxAlGaAs发射区及第二AlInP或GaInP窗口层组成；所述AlGaInP顶电池由AlGaInP背电场、GaInP基区、GaInP发射区及IZO窗口层组成。本发明制作的正向四结砷化镓太阳电池，电流密度得到大幅提升，光电转换率高、稳定性好。
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公开(公告)号：CN112736157A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110358726.2
申请日：2021-04-02
申请人： 南昌凯迅光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种三结砷化镓太阳电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的一种三结砷化镓太阳电池，包括：Ge衬底；于所述Ge衬底上由下至上依次外延生长的底电池、GaAs缓冲层、中底隧穿结、AlInP缓冲层、InAlGaAs缓冲层、DBR、中电池、中顶隧穿结、顶电池以及盖帽层；其中，所述AlInP缓冲层具有一粗糙面，所述粗糙面设置于靠近所述InAlGaAs缓冲层的一侧，所述粗糙面由若干个金字塔形凸起均匀分布形成。本发明设计可以直接将材料的晶格常数过渡到目标值，降低生长时间，消除应力，获得高质量、平整的外延片。适合用于禁带匹配，晶格失配的三结砷化镓太阳电池。
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