- 专利标题: 半导体发光元件和发光装置及制造半导体发光元件的方法
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申请号: CN201811214372.9申请日: 2013-06-13
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公开(公告)号: CN109728135A公开(公告)日: 2019-05-07
- 发明人: 梁钟隣 , 金泰亨 , 宋光珉 , 李承桓 , 林完泰 , 韩世俊 , 洪玄权 , 皇甫秀珉
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 赵南; 张帆
- 优先权: 10-2012-0063259 2012.06.13 KR
- 主分类号: H01L33/00
- IPC分类号: H01L33/00 ; H01L33/36 ; H01L33/62 ; H01L33/64
摘要:
本发明涉及半导体发光元件和发光装置,所述半导体发光元件包括发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。第一电极结构包括与所述第一导电类型半导体层连接的导电通路。第二电极结构与第二导电类型半导体层连接。具有开口区域的绝缘部件在覆盖第一电极结构和第二电极结构的同时以该开口区域暴露出第一电极结构和第二电极结构的一部分。第一焊盘电极和第二焊盘电极分别形成在通过开口区域暴露出来的第一电极结构和第二电极结构的部分上并且分别与第一电极结构和第二电极结构连接。
公开/授权文献
- CN109728135B 半导体发光元件和发光装置及制造半导体发光元件的方法 公开/授权日:2022-03-04
IPC分类: