Invention Publication
- Patent Title: 组合材料芯片的高通量材料合成及同步辐射光源高通量表征方法
- Patent Title (English): High-flux material synthesis and synchronous radiation light source high-flux representing method of composite material chip
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Application No.: CN201811461910.4Application Date: 2018-12-03
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Publication No.: CN109682847APublication Date: 2019-04-26
- Inventor: 张志军 , 王禹 , 杨昕昕 , 杨铁莹 , 冯振杰 , 高兴宇 , 赵景泰
- Applicant: 上海大学
- Applicant Address: 上海市宝山区上大路99号
- Assignee: 上海大学
- Current Assignee: 上海大学
- Current Assignee Address: 上海市宝山区上大路99号
- Agency: 上海上大专利事务所
- Agent 顾勇华
- Main IPC: G01N23/20008
- IPC: G01N23/20008 ; G01N23/20033 ; G01N23/20058

Abstract:
本发明公开了一种组合材料芯片的高通量材料合成及同步辐射光源高通量表征方法,利用化学组合材料芯片的制备方法,与同步辐射光源X射线衍射站高通量表征相结合的高通量材料制备与表征综合系统。采用的原料可以是金属醇盐,硝酸盐,醋酸盐,氯化物。该方法可以利用化学法一次制备上百甚至上千的样品而且样品数量还可以根据实验需求自行调控。同步辐射X射线衍射线站高通量表征自动化平台可以对材料的晶体结构进行快速、高效地测试与解析。将化学组合材料芯片法与高通量表征的自动平台相结合构成的制备与表征系统,不仅可以极大的提高无机材料的制备与表征速度,还可以提高同步辐射光源的利用效率。
Public/Granted literature
- CN109682847B 组合材料芯片的高通量材料合成及同步辐射光源高通量表征方法 Public/Granted day:2021-08-06
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IPC分类: