发明授权
- 专利标题： 功率模块的制造方法
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申请号： CN201710229276.0申请日： 2014-12-02
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公开(公告)号： CN107039388B公开(公告)日： 2019-07-23
- 发明人: 池田直辉 , 小田寿志 , 长谷川真纪 , 川藤寿
- 申请人： 三菱电机株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 何立波; 张天舒
- 优先权： 2013-249287 2013.12.02 JP
- 主分类号： H01L23/495
- IPC分类号： H01L23/495
摘要：
本发明的目的在于提供一种能够实现功率模块的小型化的技术。该功率模块具有：1个控制IC(4)和多个RC‑IGBT(Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor)(21)。控制IC(4)具有高耐压IC(High‑Voltage Integrated Circuit)的功能和低耐压IC(Low‑Voltage Integrated Circuit)的功能。多个RC‑IGBT(21)配置在控制IC(4)的四个方向中的三个方向，仅经由导线(22)与控制IC(4)连接。
公开/授权文献
- CN107039388A 功率模块的制造方法 公开/授权日：2017-08-11
IPC分类:
