- 专利标题: 一种采用电火花切割技术快速切割CdS单晶体的方法
-
申请号: CN201611124203.7申请日: 2016-12-08
-
公开(公告)号: CN106738393B公开(公告)日: 2018-05-22
- 发明人: 高飞 , 李晖 , 张弛 , 徐世海 , 王磊 , 王添依 , 张海磊 , 张颖武 , 司华青
- 申请人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 申请人地址: 天津市河西区洞庭路26号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 当前专利权人地址: 天津市河西区洞庭路26号
- 代理机构: 天津中环专利商标代理有限公司
- 代理商 胡京生
- 主分类号: B28D5/04
- IPC分类号: B28D5/04 ; B28D7/04 ; B24B1/00
摘要:
本发明设计一种用于CdS单晶体的切割方法,属于半导体材料的加工领域。步骤如下,用平面磨床将CdS晶锭的生长面磨平;用X射线衍射仪对磨平的端面进行定向;对CdS晶锭进行滚圆,然后进行主参考面和副参考面制作;用真空吸附台将CdS晶锭吸附住,晶锭的主参考面朝下;调整电火花切割机切割参数,对晶锭进行切割;切割完成后,依次采用煤油浸泡、热酒精对切割后的晶片进行冲洗,然后将卡具放在温度为80℃的热水中,使胶软化,将晶片取下,进行下一步操作。采用非接触式的电火花切割技术对n型CdS晶锭进行切割,可以大大的提高切割效率、减少碎片的产生。
公开/授权文献
- CN106738393A 一种采用电火花切割技术快速切割CdS单晶体的方法 公开/授权日:2017-05-31