发明授权
- 专利标题: 一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路
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申请号: CN201610150614.7申请日: 2016-03-16
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公开(公告)号: CN105680107B公开(公告)日: 2018-09-25
- 发明人: 程新红 , 李新昌 , 吴忠昊 , 徐大伟 , 羊志强 , 俞跃辉
- 申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 申请人地址: 上海市长宁区长宁路865号
- 专利权人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人地址: 上海市长宁区长宁路865号
- 代理机构: 上海光华专利事务所
- 代理商 罗泳文
- 主分类号: H01M10/42
- IPC分类号: H01M10/42 ; H01L27/02 ; H01L27/092
摘要:
本发明提供一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路,所述电池管理芯片电路包括高压多路选通器MUX、电压基准电路、Sigma‑delta ADC(包括模拟调制器以及数字滤波器)、SPI通讯电路、以及功能控制电路与电压值寄存器。所述电池管理芯片电路为基于SOI高压工艺集成,尤其是所述电池管理芯片电路采用的高压MOS管为基于SOI工艺的高压MOS器件单元。另外,本发明重点突出了高压多路选通器MUX与Sigma‑delta ADC的接口电路‑斩波电路的设计,以阐述本发明采用SOI工艺设计与流片时会带来电路设计难度降低以及版图面积减小等诸多优势。
公开/授权文献
- CN105680107A 一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路 公开/授权日:2016-06-15