发明授权
- 专利标题： 晶振的形成方法
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申请号： CN201310449899.0申请日： 2013-09-24
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公开(公告)号： CN104467722B公开(公告)日： 2017-08-25
- 发明人: 江博渊 , 肖启明
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号： H03H3/02
- IPC分类号： H03H3/02 ; B81C1/00 ; B81C3/00
摘要：
一种晶振的形成方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；沿第一表面刻蚀第一衬底，形成真空腔和外部开口，其中真空腔的深度小于外部开口深度；提供第二衬底，所述第二衬底表面具有振动晶体；将第一衬底与第二衬底键合，所述真空腔正对振动晶体；沿第二表面减薄第一衬底，其中，第一衬底厚度减去外部开口深度
公开/授权文献
- CN104467722A 晶振的形成方法 公开/授权日：2015-03-25
