本发明是一种晶片的双面研磨方法，该晶片的双面研磨方法将晶片保持在载具的保持孔中，并将该所保持的晶片夹入粘贴有砂布的上下平台之间，并使上述载具进行自转及公转而同时研磨上述晶片的双面，且以批次方式反复进行该晶片的研磨，上述晶片的双面研磨方法其特征在于，在上述以批次方式反复进行的晶片的研磨中，将上述载具公转的方向在每一批次转换成相反的方向。由此，提供一种能够抑制修整所造成的生产率的降低且能够稳定地得到高平坦度的晶片的晶片的双面研磨方法。