具有凹进栅极的III-N晶体管。外延叠置体包括掺杂III-N源极/漏极层和设置在源极/漏极层与III-N沟道层之间的III-N蚀刻停止层。一种蚀刻工艺，例如，利用光化学氧化，选择性地蚀刻在蚀刻停止层之上的源极/漏极层。在蚀刻停止层之上设置栅电极以形成凹进栅极III-N HEMT。可以利用在氧化蚀刻停止层之上的栅电极氧化蚀刻停止层的至少一部分以用于包括III-N氧化物的凹进栅极III-N MOS-HEMT。可以在氧化蚀刻停止层之上形成高k电介质，使栅电极在该高k电介质之上以形成具有复合栅极电介质叠置体的凹进栅极III-N MOS-HEMT。