本发明提供由具有优异的氧化物薄膜GOI特性及高C型合格率的硅晶体组成的硅晶片。此外，还提供所述硅晶片的制造方法。所述硅晶片用氮、氢和碳掺杂，其包括：多个空隙，其中空隙总数的等于或多于50％形成气泡状空隙聚集体；空隙密度超过2×104/cm3且小于1×105/cm3的V1区域，其占据所述硅晶片的总面积的等于或小于20％；空隙密度为5×102至2×104/cm3的V2区域，其占据所述硅晶片的总面积的等于或大于80％；及块体微缺陷密度为等于或大于5×108/cm3。