发明授权
- 专利标题： 功率器件的铝插塞制作方法
- 专利标题（英）： Method for manufacturing aluminium plug of power device
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申请号： CN200910195581.8申请日： 2009-09-11
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公开(公告)号： CN102024747B公开(公告)日： 2015-02-11
- 发明人: 敖良科 , 邢进 , 刘晓丽 , 陈泰江
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 成都成芯半导体制造有限公司
- 申请人地址： 上海市张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,成都成芯半导体制造有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,成都成芯半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市张江路18号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 屈蘅; 李时云
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768
摘要：
本发明提出一种功率器件的铝插塞制作方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积绝缘层；在所述绝缘层上沉积钝化层；分别对钝化层、绝缘层和半导体衬底进行蚀刻形成杯型接触孔；在所述杯型接触孔内及钝化层表面上沉积扩散阻挡层；在接触孔内填充金属铝以形成铝插塞，其中所述杯型接触孔的顶部宽度大于底部宽度。本发明提出的功率器件的铝插塞制作方法，其能够有效降低生产成本，并且具有良好的电阻特性。
公开/授权文献
- CN102024747A 功率器件的铝插塞制作方法 公开/授权日：2011-04-20
IPC分类:
