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发明公开
CN101740372A 具有改进的高-k栅极电介质和金属栅极界面的栅极结构 无效 - 驳回 复审申请

具有改进的高-k栅极电介质和金属栅极界面的栅极结构
摘要：
本发明提供一种制造半导体器件栅极的方法。实施例中，本方法包括在半导体衬底上形成栅极电介质层。在栅极电介质层上形成界面层。实施例中，栅极电介质层包含HfO2，界面层包含Hf-N。功函数金属层可形成在界面层上。本发明同时提供了一种器件。
摘要（英）：

A method of fabricating a gate of a semiconductor device is provided. In an embodiment, the method includes forming a gate dielectric layer on a semiconductor substrate. An interface layer is formed on the gate dielectric layer. In an embodiment, the gate dielectric layer includes HfO2 and the interface layer includes Hf-N. A work function metal layer may be formed on the interface layer. A device is also provided.

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