发明授权
CN101000907B 半导体器件及半导体器件的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体器件及半导体器件的制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device
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申请号: CN200710003898.8申请日: 2007-01-10
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公开(公告)号: CN101000907B公开(公告)日: 2012-05-30
- 发明人: 细谷邦雄 , 藤川最史 , 冈本知广
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 张鑫
- 优先权: 2006-002130 2006.01.10 JP
- 主分类号: H01L25/00
- IPC分类号: H01L25/00 ; H01L23/13 ; H01L23/488 ; H01L21/58 ; H01L21/60 ; H01L21/50 ; G06K19/077
摘要:
本发明提供一种低成本且高通用性的半导体器件及其制造方法,以及提高了成品率的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具有如下结构,即包括具有多个不同形状或不同大小的凹部的基体、以及配置在凹部中且适合于凹部的多个IC芯片。可以通过使用具有多个凹部的基体和适合于凹部的IC芯片,以低成本制造选择性地装上适合用途的功能的半导体器件。
公开/授权文献
- CN101000907A 半导体器件、半导体器件的制造方法、以及RFID标签 公开/授权日:2007-07-18
IPC分类: