发明授权
CN100468210C 使用浸没光刻工艺制造半导体器件的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 使用浸没光刻工艺制造半导体器件的方法
- 专利标题（英）： Method for manufacturing semiconductor device using immersion lithography process
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申请号： CN200610121212.0申请日： 2006-08-17
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公开(公告)号： CN100468210C公开(公告)日： 2009-03-11
- 发明人: 郑载昌 , 李晟求 , 潘槿道 , 卜喆圭 , 文承灿
- 申请人： 海力士半导体有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陶凤波
- 优先权： 75419/05 2005.08.17 KR
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20 ; H01L21/027
摘要：
本发明公开了一种使用浸没光刻工艺制造半导体器件的方法。该方法包括在曝光步骤之后及显影步骤之前，快速地加速晶片的旋转，以去除浸没光刻溶液，由此有效地减少水印缺陷。
公开/授权文献
- CN1916769A 使用浸没光刻工艺制造半导体器件的方法 公开/授权日：2007-02-21
IPC分类:
