公开(公告)号：US07099362B2

公开(公告)日：2006-08-29

申请号：US10706906

申请日：2003-11-14

申请人： Jin K. Kim

发明人： Jin K. Kim

IPC分类号： H01S5/034

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/34306 ,  H01S2304/04

摘要： A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) includes a substrate; a first mirror stack over the substrate; an active region having a plurality of quantum wells over the first mirror stack; a tunnel junction over the active region, the tunnel junction including a modulation-doped layer; and a second mirror stack over the tunnel junction. The modulation doped layer can be used for either the n-layer or the p-layer, or the both layers of the tunnel junction. Such tunnel junctions are especially useful for a long wavelength VCSEL.

摘要翻译： 垂直腔表面发射激光器（VCSEL）包括衬底; 衬底上的第一反射镜堆叠; 有源区，其在所述第一反射镜叠层上具有多个量子阱; 在有源区上的隧道结，隧道结包括调制掺杂层; 以及在隧道交界处的第二反射镜堆叠。 调制掺杂层可以用于n层或p层，或隧道结的两个层。 这种隧道结对于长波长VCSEL特别有用。