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    Semiconductor light-emitting element
    1.
    再颁专利
    Semiconductor light-emitting element 有权
    半导体发光元件

    公开(公告)号：USRE40485E1

    公开(公告)日：2008-09-09

    申请号：US11140524

    申请日：2005-05-27

    申请人： Yuji Hori ,  Tomohiko Shibata ,  Mitsuhiro Tanaka ,  Osamu Oda

    发明人： Yuji Hori ,  Tomohiko Shibata ,  Mitsuhiro Tanaka ,  Osamu Oda

    IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L33/325 ,  H01L33/08

    摘要： In a semiconductor light-emitting element, an underlayer is made of AlN layer, and a first cladding layer is made of an n-AlGaN layer. A light-emitting layer is composed of a base layer made of i-GaN and plural island-shaped single crystal portions made of i-AlGaInN isolated in the base layer. Then, at least one rare earth metal element is incorporated into the base layer and/or the island-shaped single crystal portions.

    摘要翻译： 在半导体发光元件中，底层由AlN层构成，第一包层由n-AlGaN层构成。 发光层由由i-GaN制成的基底层和在基底层中分离的由i-AlGaInN构成的多个岛状单晶部分构成。 然后，在基底层和/或岛状单晶部分中并入至少一种稀土金属元素。

    Semiconductor element
    3.
    发明授权
    Semiconductor element 有权
    半导体元件

    公开(公告)号：US06781164B2

    公开(公告)日：2004-08-24

    申请号：US10690290

    申请日：2003-10-21

    申请人： Yuji Hori ,  Tomohiko Shibata ,  Osamu Oda ,  Mitsuhiro Tanaka

    发明人： Yuji Hori ,  Tomohiko Shibata ,  Osamu Oda ,  Mitsuhiro Tanaka

    IPC分类号： H01L31072

    CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66856

    摘要： An AlN film as an underlayer is epitaxially grown on a substrate having a dislocation density of 1011/cm2 or below and a crystallinity of 90 seconds or below in full width at half maximum (FWHM) of an X-ray rocking curve at (002) reflection. Then, on the AlN film an n-GaN film is epitaxially grown as a conductive layer having a dislocation density of 1010/cm2 or below and a crystallinity of 150 seconds or below in full width at half maximum (FWHM) of an X-ray rocking curve at (002) reflection, to fabricate a semiconductor element.

    摘要翻译： 将作为底层的AlN膜外延生长在具有10 11 / cm 2以下的位错密度和90秒以下的结晶度的X射线的半峰全宽（FWHM）的基板上 （002）反射的摇摆曲线。 然后，在AlN膜上，将n-GaN膜外延生长为位错密度为10 10 / cm 2以下的导电层，在半高宽度下为150秒以下的结晶度（FWHM ）（002）反射的X射线摇摆曲线，以制造半导体元件。

    Semiconductor light-emitting element
    6.
    再颁专利
    Semiconductor light-emitting element 有权
    半导体发光元件

    公开(公告)号：USRE40163E1

    公开(公告)日：2008-03-25

    申请号：US11083331

    申请日：2005-03-17

    申请人： Yuji Hori ,  Tomohiko Shibata ,  Mitsuhiro Tanaka ,  Osamu Oda

    发明人： Yuji Hori ,  Tomohiko Shibata ,  Mitsuhiro Tanaka ,  Osamu Oda

    IPC分类号： H01L31/12

    CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/18

    摘要： In a semiconductor light-emitting element, an underlayer is composed of a high crystallinity AlN layer having a FWHM in X-ray rocking curve of 90 seconds or below, and a first cladding layer is composed of an n-AlGaN layer. A light-emitting layer is composed of a base layer made of i-GaN and plural island-shaped single crystal portions made of i-AlGaInN isolated in the base layer.

    摘要翻译： 在半导体发光元件中，底层由X射线摇摆曲线中具有FWHM的90秒以下的高结晶性AlN层构成，第一包层由n-AlGaN层构成。 发光层由由i-GaN制成的基底层和在基底层中分离的由i-AlGaInN构成的多个岛状单晶部分构成。

    Semiconductor light-emitting element
    8.
    发明授权
    Semiconductor light-emitting element 有权
    半导体发光元件

    公开(公告)号：US06693302B2

    公开(公告)日：2004-02-17

    申请号：US10035001

    申请日：2001-12-28

    申请人： Yuji Hori ,  Tomohiko Shibata ,  Mitsuhiro Tanaka ,  Osamu Oda

    发明人： Yuji Hori ,  Tomohiko Shibata ,  Mitsuhiro Tanaka ,  Osamu Oda

    IPC分类号： H01L2715

    CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/12

    摘要： In a semiconductor light-emitting element, an underlayer is made of a high crystallinity Al-including semiconducting nitride material of which the FWHM is 90 seconds or below in full width at half maximum of an X-ray rocking curve. A light-emitting layer is made of a semiconducting nitride material including it least one element selected from the group consisting of Al, Ga and In and containing at least one element selected from rare earth metal elements. The light-emitting layer can be omitted if at least one element selected from rare earth metal elements is incorporated in the underlayer.

    摘要翻译： 在半导体发光元件中，底层由X射线摇摆曲线的半高宽度的FWHM为90秒以下的高结晶性Al的半导体氮化物材料构成。 发光层由包含选自Al，Ga和In中的至少一种元素的半导体氮化物材料制成，并且含有选自稀土金属元素中的至少一种元素。 如果从稀土金属元素中选择至少一种元素并入底层中，则可以省略发光层。

    Semiconductor light-emitting element
    9.
    发明授权
    Semiconductor light-emitting element 有权
    半导体发光元件

    公开(公告)号：US06677708B2

    公开(公告)日：2004-01-13

    申请号：US10024664

    申请日：2001-12-17

    申请人： Yuji Hori ,  Tomohiko Shibata ,  Osamu Oda ,  Mitsuhiro Tanaka

    发明人： Yuji Hori ,  Tomohiko Shibata ,  Osamu Oda ,  Mitsuhiro Tanaka

    IPC分类号： H01J162

    CPC分类号： H01L33/325 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

    摘要： In a semi-conductor light-emitting element, an underlayer is made of a high crystallinity Al-including semi-conducting nitride material of which the FWHM is 90 second or below in X-ray rocking curve. Then, a light-emitting layer is made of a semi-conducting nitride material including at least one element selected from the group consisting of Al, Ga and In and containing at least one element selected from rare earth metal elements and transition metal elements.

    摘要翻译： 在半导体发光元件中，底层由X射线摇摆曲线中FWHM为90秒以下的高结晶性Al-包含半导体氮化物材料制成。 然后，发光层由半导体氮化物材料制成，该半导体氮化物材料包括选自由Al，Ga和In组成的组中的至少一种元素，并含有至少一种选自稀土金属元素和过渡金属元素的元素。