公开(公告)号：US20140355348A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：US14459736

申请日：2014-08-14

申请人： Yongjune KIM ,  Hong Rak SON ,  Seonghyeog CHOI ,  Junjin KONG

发明人： Yongjune KIM ,  Hong Rak SON ,  Seonghyeog CHOI ,  Junjin KONG

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/04

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

摘要： Provided are a flash memory system and a word line interleaving method thereof. The flash memory system includes a memory cell array, and a word line interleaving logic. The memory cell array is connected to a plurality of word lines. The word line (WL) interleaving logic performs an interleaving operation on WL data corresponding to at least two different wordlines and programming data, including the interleaved data, to the memory cell array.

摘要翻译： 提供一种闪速存储器系统及其字线交错方法。 闪存系统包括存储单元阵列和字线交错逻辑。 存储单元阵列连接到多个字线。 字线（WL）交织逻辑对与至少两个不同字线对应的WL数据和包括交错数据的编程数据执行对存储单元阵列的交织操作。

公开(公告)号：US20120069664A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13236176

申请日：2011-09-19

申请人： Yongjune KIM ,  Hong Rak SON ,  Seonghyeog CHOI ,  Junjin KONG

发明人： Yongjune KIM ,  Hong Rak SON ,  Seonghyeog CHOI ,  Junjin KONG

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/04

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

摘要： Provided are a flash memory system and a word line interleaving method thereof. The flash memory system includes a memory cell array, and a word line interleaving logic. The memory cell array is connected to a plurality of word lines. The word line (WL) interleaving logic performs an interleaving operation on WL data corresponding to at least two different wordlines and programming data, including the interleaved data, to the memory cell array.

摘要翻译： 提供一种闪速存储器系统及其字线交错方法。 闪存系统包括存储单元阵列和字线交错逻辑。 存储单元阵列连接到多个字线。 字线（WL）交织逻辑对与至少两个不同字线对应的WL数据和包括交错数据的编程数据执行对存储单元阵列的交织操作。

公开(公告)号：US20160011807A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：US14640653

申请日：2015-03-06

申请人： Changkyu SEOL ,  Junjin KONG ,  JongHa KIM ,  Hyejeong SO ,  Hong Rak SON ,  Seonghyeog CHOI

发明人： Changkyu SEOL ,  Junjin KONG ,  JongHa KIM ,  Hyejeong SO ,  Hong Rak SON ,  Seonghyeog CHOI

IPC分类号： G06F3/06

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C7/1006 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/102

摘要： The operating method of the storage device includes receiving write data to be written at the plurality of memory cells; determining whether the received write data is LSB data to be written at the plurality of memory cells; and encoding the write data according to the determination. The write data is encoded according to the write data when the write data is LSB data to be written at the plurality of memory cells. The write data is encoded according to the write data and encoding data of lower data of the write data to be written at the plurality of memory cells when the write data is not LSB data to be written at the plurality of memory cells.

摘要翻译： 存储装置的操作方法包括：接收要写入多个存储单元的写入数据; 确定所接收的写入数据是否要被写入所述多个存储器单元的LSB数据; 以及根据确定对写入数据进行编码。 当写入数据是要写入多个存储器单元的LSB数据时，根据写入数据对写入数据进行编码。 当写入数据不是要写入多个存储器单元的LSB数据时，写数据根据写数据和要写入多个存储单元的写数据的较低数据的编码数据进行编码。

公开(公告)号：US20140281279A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US14206269

申请日：2014-03-12

申请人： Eun Chu OH ,  Junjin KONG ,  Hong Rak SON ,  Younggeon YOO

发明人： Eun Chu OH ,  Junjin KONG ,  Hong Rak SON ,  Younggeon YOO

IPC分类号： G06F3/06

CPC分类号： G06F3/0655 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0679 ,  G11C7/1006 ,  G11C7/14 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C16/26 ,  G11C2013/0054

摘要： A data management method of a nonvolatile memory device which includes a data cell area and a reference cell area includes selecting shared data from write data input to the memory device; generating reference data based on the shared data; and storing the write data in the data cell area and a first reference area of the reference cell area; and storing the reference data in a second reference area of the reference cell area.

摘要翻译： 包括数据单元区域和参考单元区域的非易失性存储器件的数据管理方法包括从输入到存储器件的写入数据中选择共享数据; 基于共享数据生成参考数据; 并将写入数据存储在数据单元区域和参考单元区域的第一参考区域中; 并将参考数据存储在参考小区区域的第二参考区域中。

公开(公告)号：US20150332778A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：US14811222

申请日：2015-07-28

申请人： Kwanghoon KIM ,  Junjin KONG ,  Changkyu SEOL ,  Hong Rak SON

发明人： Kwanghoon KIM ,  Junjin KONG ,  Changkyu SEOL ,  Hong Rak SON

IPC分类号： G11C16/26

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3422 ,  G11C16/349

摘要： A memory system includes: a bit counter and a regression analyzer. The bit counter is configured to generate a plurality of count values based on data read from selected memory cells using a plurality of different read voltages, each of the plurality of count values being indicative of a number of memory cells of a memory device having threshold voltages between pairs of the plurality of different read voltages. The regression analyzer is configured to determine read voltage for the selected memory cells based on the plurality of count values using regression analysis.

摘要翻译： 存储器系统包括：位计数器和回归分析器。 位计数器被配置为基于使用多个不同的读取电压从所选择的存储器单元读取的数据生成多个计数值，多个计数值中的每一个表示具有阈值电压的存储器件的存储单元的数量 在多个不同读取电压的对之间。 回归分析器被配置为使用回归分析来基于多个计数值来确定所选择的存储器单元的读取电压。

公开(公告)号：US20150006791A1

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：US14297093

申请日：2014-06-05

申请人： Younggeon YOO ,  Junjin KONG ,  Hong Rak SON

发明人： Younggeon YOO ,  Junjin KONG ,  Hong Rak SON

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G11C16/10 ,  G06F11/1072 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483

摘要： A write method of a storage device including at least one nonvolatile memory device and a memory controller controlling the nonvolatile memory device includes dividing write data into a plurality of page data groups, each page data group including multiple bits of data; encoding the divided page data groups using different binary codes, respectively; mapping the encoded page data groups; programming, in first memory cells connected to one word line, programming states to which binary values of each of the mapped encoded page data groups are mapped, such that, the plurality of page data groups correspond respectively to a plurality of read voltage levels, and for each of the plurality of page data groups, the page data group can be read by performing a single read operation on the first memory cells using the read voltage level corresponding to the page data group.

摘要翻译： 一种存储装置的写入方法，包括至少一个非易失性存储器件和控制非易失性存储器件的存储器控​​制器，包括将写入数据划分成多个页数据组，每个页数据组包括多位数据; 分别使用不同的二进制码对分割页数据组进行编码; 映射编码页数据组; 在连接到一个字线的第一存储器单元中对编程状态进行编程，对每个映射编码页数据组的二进制值进行映射的编程状态，使得多个页数据组分别对应于多个读电压电平，以及 对于多个页面数据组中的每一个，可以通过使用与页面数据组对应的读取电压电平对第一存储器单元执行单个读取操作来读取页面数据组。

公开(公告)号：US20140136920A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：US14071771

申请日：2013-11-05

申请人： Kijun LEE ,  Junjin KONG ,  Hong Rak SON ,  Sejin LIM

发明人： Kijun LEE ,  Junjin KONG ,  Hong Rak SON ,  Sejin LIM

IPC分类号： G06F11/10

CPC分类号： G06F11/1048 ,  G06F11/1076 ,  G06F11/1435 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0868 ,  H03M13/09 ,  H03M13/2942

摘要： A partial data changing method of a memory controller includes receiving a request to change partial data from a host; detecting an error of old data, the old data being partial data read from a memory device using an error detection code; if the old data is not erroneous, calculating a data difference between new data provided from the host and the old data, and calculating a new parity using the data difference and an old parity read from the memory device; and storing the new data and the new parity at the memory device.

摘要翻译： 存储器控制器的部分数据改变方法包括从主机接收改变部分数据的请求; 检测旧数据的错误，旧数据是使用错误检测码从存储装置读取的部分数据; 如果旧数据不是错误的，则计算从主机提供的新数据与旧数据之间的数据差异，并且使用从存储器件读取的数据差和旧奇偶校验来计算新奇偶校验; 以及将新数据和新奇偶校验存储在存储器件中。

公开(公告)号：US20120144148A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13241352

申请日：2011-09-23

申请人： Mankeun SEO ,  Junjin KONG ,  KyoungLae CHO ,  Hong Rak SON

发明人： Mankeun SEO ,  Junjin KONG ,  KyoungLae CHO ,  Hong Rak SON

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F3/0608 ,  G06F3/0661 ,  G06F3/0679 ,  H03M7/6088

摘要： A write method of a data storage device including a storage media includes receiving data to be stored in the storage media; judging whether the received data is compressed data, without externally provided additional information; and selectively compressing the received data according to the judgment result, wherein the judging whether the received data is compressed data is made based on a distribution of actual symbols included in at least part of the received data.

摘要翻译： 包括存储介质的数据存储设备的写入方法包括接收要存储在存储介质中的数据; 判断接收到的数据是否为压缩数据，无需外部提供的附加信息; 以及根据判断结果选择性地压缩接收到的数据，其中基于包含在所接收的数据的至少一部分中的实际符号的分布来判断所接收的数据是否是压缩数据。

公开(公告)号：US20140119124A1

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：US14062092

申请日：2013-10-24

申请人： Kwanghoon KIM ,  Junjin KONG ,  Changkyu SEOL ,  Hong Rak SON

发明人： Kwanghoon KIM ,  Junjin KONG ,  Changkyu SEOL ,  Hong Rak SON

IPC分类号： G11C16/26

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3422 ,  G11C16/349

摘要： A memory system includes: a bit counter and a regression analyzer. The bit counter is configured to generate a plurality of count values based on data read from selected memory cells using a plurality of different read voltages, each of the plurality of count values being indicative of a number of memory cells of a memory device having threshold voltages between pairs of the plurality of different read voltages. The regression analyzer is configured to determine read voltage for the selected memory cells based on the plurality of count values using regression analysis.

摘要翻译： 存储器系统包括：位计数器和回归分析器。 位计数器被配置为基于使用多个不同的读取电压从所选择的存储器单元读取的数据生成多个计数值，多个计数值中的每一个表示具有阈值电压的存储器件的存储单元的数量 在多个不同读取电压的对之间。 回归分析器被配置为使用回归分析来基于多个计数值来确定所选择的存储器单元的读取电压。

公开(公告)号：US20110252183A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：US13082190

申请日：2011-04-07

申请人： Kyoung Lae CHO ,  Chanho YOON ,  Junjin KONG ,  Hee Chang CHO ,  Bumseok YU ,  Hong Rak SON

发明人： Kyoung Lae CHO ,  Chanho YOON ,  Junjin KONG ,  Hee Chang CHO ,  Bumseok YU ,  Hong Rak SON

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： H03M7/30 ,  G11C16/349

摘要： A method of storing data in a storage media can include determining whether a size of data to be stored in the storage media satisfies a reference condition and compressing the data to provide compressed data for storage in the storage media upon determining that the size satisfies a reference condition.

摘要翻译： 在存储介质中存储数据的方法可以包括确定要存储在存储介质中的数据的大小是否满足参考条件，并且在确定尺寸满足参考值时，压缩数据以提供用于存储在存储介质中的压缩数据 条件。