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1.发明申请METHOD TO INCREASE YIELD AND REDUCE DOWN TIME IN SEMICONDUCTOR FABRICATION UNITS BY PRECONDITIONING COMPONENTS USING SUB-APERTURE REACTIVE ATOM ETCH 失效通过使用子孔径反应原子蚀刻的预配置组件来增加半导体制造单元的延迟时间的方法公开(公告)号：US20110239429A1
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：US12997205
申请日：2009-06-02
申请人： Wayne Hambek
发明人： Wayne Hambek
CPC分类号： C23C14/564 , C04B35/565 , C04B35/573 , C04B41/009 , C04B41/5346 , C04B41/91 , C04B2235/3826 , C04B2235/614 , C04B2235/80 , C04B41/0054 , C04B35/522
摘要： An embodiment of the present inventions provides a method for preconditioning a semiconductor fabrication component using a plasma etching process and an optional enhanced ultrasonic and/or megasonic preconditioning step in order to eliminate the need for a burn-in period typically associated with said components, as well as extend the useful life of the component during its wear-out phase.
摘要翻译： 本发明的一个实施例提供了一种使用等离子体蚀刻工艺和任选的增强型超声波和/或超声波预处理步骤预处理半导体制造部件的方法，以便消除对通常与所述部件相关联的老化周期的需要，如 以及在其磨损阶段延长部件的使用寿命。
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2.发明授权Method to increase yield and reduce down time in semiconductor fabrication units by preconditioning components using sub-aperture reactive atom etch 失效通过使用子孔径反应性原子蚀刻预处理组件来增加半导体制造单元中的产量并减少停工时间的方法公开(公告)号：US08721906B2
公开(公告)日：2014-05-13
申请号：US12997205
申请日：2009-06-02
申请人： Wayne Hambek
发明人： Wayne Hambek
CPC分类号： C23C14/564 , C04B35/565 , C04B35/573 , C04B41/009 , C04B41/5346 , C04B41/91 , C04B2235/3826 , C04B2235/614 , C04B2235/80 , C04B41/0054 , C04B35/522
摘要： An embodiment of the present inventions provides a method for preconditioning a semiconductor fabrication component using a plasma etching process and an optional enhanced ultrasonic and/or megasonic preconditioning step in order to eliminate the need for a burn-in period typically associated with said components, as well as extend the useful life of the component during its wear-out phase.
摘要翻译： 本发明的一个实施例提供了一种使用等离子体蚀刻工艺和任选的增强型超声波和/或超声波预处理步骤预处理半导体制造部件的方法，以便消除对通常与所述部件相关联的老化周期的需要，如 以及在其磨损阶段延长部件的使用寿命。
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