公开(公告)号：US20160079040A1

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：US14794383

申请日：2015-07-08

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： MyoungSoo Park ,  Hakyoung Kim ,  Yumi Sung ,  Seungkyu Lim

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32477 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/0203

Abstract: Plasma processing devices may include a process chamber body, a substrate support unit in a lower portion of the process chamber body, and a window part in an upper portion of the process chamber body. The window part may include a base layer and a surface protection layer on the base layer and configured to face the substrate support unit. The surface protection layer may include an oxide having a columnar structure.

Abstract translation: 等离子体处理装置可以包括处理室主体，处理室主体的下部中的基板支撑单元和处理室主体的上部中的窗口部分。 窗口部分可以包括基底层和基底层上的表面保护层，并且被配置为面对衬底支撑单元。 表面保护层可以包括具有柱状结构的氧化物。