公开(公告)号：US09535326B2

公开(公告)日：2017-01-03

申请号：US14620289

申请日：2015-02-12

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Jeong Ju Park ,  Kyoungmi Kim ,  Jaeho Kim ,  Jungsik Choi

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/16 ,  H01L21/027 ,  G03F7/30 ,  H01L21/033

CPC classification number: G03F7/168 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/091 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337

Abstract: The inventive concepts provide methods of forming a semiconductor device. The method includes forming a neutral layer having a photosensitive property and a reflow property on an anti-reflective coating layer, performing an exposure process and a development process on the neutral layer to form a preliminary neutral pattern at least partially exposing the anti-reflective coating layer, heating the preliminary neutral pattern to form a neutral pattern, forming a block copolymer layer on the neutral pattern, and heating the block copolymer layer to form a block copolymer pattern. The block copolymer pattern includes a first pattern disposed on the anti-reflective coating layer exposed by the neutral pattern, and a second pattern disposed on the neutral pattern and chemically bonded to the first pattern.

Abstract translation: 本发明构思提供了形成半导体器件的方法。 该方法包括在抗反射涂层上形成具有感光性能和回流性能的中性层，对中性层进行曝光处理和显影处理，以形成初步中性图案，至少部分地使抗反射涂层曝光 加热初步中性图案以形成中性图案，在中性图案上形成嵌段共聚物层，并加热嵌段共聚物层以形成嵌段共聚物图案。 嵌段共聚物图案包括设置在由中性图案暴露的抗反射涂层上的第一图案和设置在中性图案上并化学键合到第一图案的第二图案。

公开(公告)号：US09324563B2

公开(公告)日：2016-04-26

申请号：US14299252

申请日：2014-06-09

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Kyoungmi Kim ,  Joo-Hyung Yang ,  Jaeho Kim ,  Jungsik Choi

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/0337 ,  G03F7/20 ,  G03F7/203 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/11582

Abstract: Methods of forming patterns are provided. The methods may include sequentially forming an etch-target layer and a photoresist layer on a substrate, exposing two first portions of the photoresist layer to light to transform the two first portions into two first photoresist patterns and exposing a second portion of the photoresist layer to light to transform the second portion into a second photoresist pattern disposed between the two first photoresist patterns. The method may also removing portions of the photoresist layer to leave the two first photoresist patterns and the second photo resist pattern on the etch-target layer such that the etch-target layer is exposed.

Abstract translation: 提供了形成图案的方法。 所述方法可以包括在衬底上顺序形成蚀刻目标层和光致抗蚀剂层，将光致抗蚀剂层的两个第一部分暴露于光以将两个第一部分转变成两个第一光致抗蚀剂图案，并将光致抗蚀剂层的第二部分暴露于 光以将第二部分变换成设置在两个第一光致抗蚀剂图案之间的第二光致抗蚀剂图案。 该方法还可以去除光致抗蚀剂层的部分，以使蚀刻目标层上的两个第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案露出。

公开(公告)号：US20150227046A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：US14620289

申请日：2015-02-12

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Jeong Ju Park ,  Kyoungmi Kim ,  Jaeho Kim ,  Jungsik Choi

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/30 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/168 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/091 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337

Abstract: The inventive concepts provide methods of forming a semiconductor device. The method includes forming a neutral layer having a photosensitive property and a reflow property on an anti-reflective coating layer, performing an exposure process and a development process on the neutral layer to form a preliminary neutral pattern at least partially exposing the anti-reflective coating layer, heating the preliminary neutral pattern to form a neutral pattern, forming a block copolymer layer on the neutral pattern, and heating the block copolymer layer to form a block copolymer pattern. The block copolymer pattern includes a first pattern disposed on the anti-reflective coating layer exposed by the neutral pattern, and a second pattern disposed on the neutral pattern and chemically bonded to the first pattern.

Abstract translation: 本发明构思提供了形成半导体器件的方法。 该方法包括在抗反射涂层上形成具有感光性能和回流性能的中性层，对中性层进行曝光处理和显影处理，以形成初步中性图案，至少部分地使抗反射涂层曝光 加热初步中性图案以形成中性图案，在中性图案上形成嵌段共聚物层，并加热嵌段共聚物层以形成嵌段共聚物图案。 嵌段共聚物图案包括设置在由中性图案暴露的抗反射涂层上的第一图案和设置在中性图案上并化学键合到第一图案的第二图案。