公开(公告)号：US09118003B2

公开(公告)日：2015-08-25

申请号：US13792952

申请日：2013-03-11

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： JeongHee Park ,  Mansug Kang

IPC: H01L47/00 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683

Abstract: A variable resistance memory device includes a lower electrode on a substrate, a variable resistance pattern on the lower electrode, and an upper electrode on the variable resistance pattern. The upper electrode is in contact with at least a sidewall of the variable resistance pattern.

Abstract translation: 可变电阻存储器件包括衬底上的下电极，下电极上的可变电阻图案和可变电阻图案上的上电极。 上电极与可变电阻图案的至少一个侧壁接触。