公开(公告)号：US20160032185A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：US14879835

申请日：2015-10-09

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： Sang Won BAE ,  Yongsun KO ,  Byoungho KWON ,  Bo yun KIM ,  Hongjin KIM ,  Sungoh PARK ,  Kuntack LEE ,  Hyosan LEE ,  Sol HAN

IPC分类号： C09K13/06 ,  C23F1/26

CPC分类号： C09K13/06 ,  C23F1/26 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76883

摘要： An etching composition includes about 1 wt % to about 7 wt % of hydrogen peroxide, about 20 wt % to about 80 wt % of phosphoric acid, about 0.001 wt % to about 1 wt % of an amine or amide polymer, 0 wt % to about 55 wt % of sulfuric acid, and about 10 wt % to about 45 wt % of deionized water.

摘要翻译： 蚀刻组合物包含约1重量％至约7重量％的过氧化氢，约20重量％至约80重量％的磷酸，约0.001重量％至约1重量％的胺或酰胺聚合物，0重量％ 约55重量％的硫酸和约10重量％至约45重量％的去离子水。

公开(公告)号：US20140141616A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：US14086426

申请日：2013-11-21

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： Sang Won BAE ,  Yongsun KO ,  Byoungho KWON ,  Bo yun KIM ,  Hongjin KIM ,  Sungoh PARK ,  Kuntack LEE ,  Hyosan LEE ,  Sol HAN

IPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/02

CPC分类号： C09K13/06 ,  C23F1/26 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76883

摘要： An etching composition includes about 1 wt % to about 7 wt % of hydrogen peroxide, about 20 wt % to about 80 wt % of phosphoric acid, about 0.001 wt % to about 1 wt % of an amine or amide polymer, 0 wt % to about 55 wt % of sulfuric acid, and about 10 wt % to about 45 wt % of deionized water.

摘要翻译： 蚀刻组合物包含约1重量％至约7重量％的过氧化氢，约20重量％至约80重量％的磷酸，约0.001重量％至约1重量％的胺或酰胺聚合物，0重量％ 约55重量％的硫酸和约10重量％至约45重量％的去离子水。