公开(公告)号：US20140347135A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：US14284509

申请日：2014-05-22

Applicant: NXP B.V.

Inventor： Viet Thanh Dinh ,  Godefridus Adrianus Maria Hurxk ,  Tony Vanhoucke ,  Jan Slotboom ,  Anco Heringa ,  Ivan Zahariev ,  Evelyne Gridelet

IPC: H03K17/10 ,  H03F3/21 ,  H03F3/19 ,  H01L29/737 ,  H01L29/165

CPC classification number: H03K17/10 ,  G05F1/462 ,  H01L29/165 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7327 ,  H01L29/737 ,  H03F1/34 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21 ,  H03F2200/153

Abstract: The invention provides a bipolar transistor circuit and a method of controlling a bipolar transistor, in which the bipolar transistor has a gate terminal for controlling the electric field in a collector region of the transistor. The bias voltage applied to the gate terminal is controlled to achieve different transistor characteristics.

Abstract translation: 本发明提供了一种双极晶体管电路和双极晶体管的控制方法，其中双极晶体管具有用于控制晶体管的集电极区域中的电场的栅极端子。 施加到栅极端子的偏置电压被控制以实现不同的晶体管特性。