公开(公告)号：US20110263073A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US12994849

申请日：2009-05-25

申请人： Kenneth Durose ,  Jon Major

发明人： Kenneth Durose ,  Jon Major

IPC分类号： H01L31/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C14/0629 ,  C23C14/22

摘要： A method of depositing a film of a first material, such as Cadmium Telluride on to a second material, such as Cadmium Sulphide by a physical vapour deposition process wherein said deposition is performed in an atmosphere having a relatively high ambient pressure, in one embodiment between 50 and 200 Torr.

摘要翻译： 通过物理气相沉积工艺将诸如碲化镉的第一材料的膜沉积到第二材料例如硫化镉的方法，其中所述沉积在具有较高环境压力的气氛中进行，在一个实施方案中在 50和200乇。