公开(公告)号：US07622378B2

公开(公告)日：2009-11-24

申请号：US11269581

申请日：2005-11-09

申请人： Junjun Liu ,  Eric M. Lee ,  Dorel L. Toma

发明人： Junjun Liu ,  Eric M. Lee ,  Dorel L. Toma

IPC分类号： G21G1/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02348 ,  B05D3/062 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67207

摘要： A multi-step system and method for curing a dielectric film in which the system includes a drying system configured to reduce the amount of contaminants, such as moisture, in the dielectric film. The system further includes a curing system coupled to the drying system, and configured to treat the dielectric film with ultraviolet (UV) radiation and infrared (IR) radiation in order to cure the dielectric film.

摘要翻译： 一种用于固化电介质膜的多步骤系统和方法，其中所述系统包括被配置为减少所述电介质膜中的诸如水分的污染物的量的干燥系统。 该系统还包括耦合到干燥系统的固化系统，并且被配置为用紫外线（UV）辐射和红外（IR）辐射来处理电介质膜，以便固化电介质膜。

公开(公告)号：US08642488B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US12605863

申请日：2009-10-26

申请人： Junjun Liu ,  Eric M. Lee ,  Dorel L. Toma

发明人： Junjun Liu ,  Eric M. Lee ,  Dorel L. Toma

IPC分类号： H01L21/26

CPC分类号： H01L21/02348 ,  B05D3/062 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67207

摘要： A multi-step system and method for curing a dielectric film in which the system includes a drying system configured to reduce the amount of contaminants, such as moisture, in the dielectric film. The system further includes a curing system coupled to the drying system, and configured to treat the dielectric film with ultraviolet (UV) radiation and infrared (IR) radiation in order to cure the dielectric film.

摘要翻译： 一种用于固化电介质膜的多步骤系统和方法，其中所述系统包括被配置为减少所述电介质膜中的诸如水分的污染物的量的干燥系统。 该系统还包括耦合到干燥系统的固化系统，并且被配置为用紫外线（UV）辐射和红外（IR）辐射来处理电介质膜，以便固化电介质膜。

公开(公告)号：US08956457B2

公开(公告)日：2015-02-17

申请号：US11517358

申请日：2006-09-08

申请人： Eric M. Lee ,  Junjun Liu ,  Dorel I. Toma

发明人： Eric M. Lee ,  Junjun Liu ,  Dorel I. Toma

IPC分类号： C23C16/00 ,  B05B5/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/67115 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31695

摘要： A thermal processing system and method for curing a dielectric film. The thermal processing system is configured to treat the dielectric film with ultraviolet (UV) radiation and infrared (IR) radiation in order to cure the dielectric film. The thermal processing system can include an array if IR and UV light-emitting devices (LEDs) configured to irradiate a substrate having a low dielectric constant (low-k) film. The method dries the dielectric film to remove contaminants from the film and exposes the dielectric film at a single stage to ultraviolet radiation and IR radiation.

摘要翻译： 一种用于固化电介质膜的热处理系统和方法。 热处理系统被配置为用紫外（UV）辐射和红外（IR）辐射来处理电介质膜，以便固化电介质膜。 如果IR和UV发光器件（LED）被配置为照射具有低介电常数（低k）膜的衬底，则热处理系统可以包括阵列。 该方法干燥电介质膜以从膜中去除污染物并将介电膜在单一阶段暴露于紫外线和IR辐射。

公开(公告)号：US20090227119A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12043772

申请日：2008-03-06

申请人： Junjun Liu ,  Dorel I. Toma ,  Eric M. Lee

发明人： Junjun Liu ,  Dorel I. Toma ,  Eric M. Lee

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/268 ,  H01L21/31695

摘要： A method of curing a low dielectric constant (low-k) dielectric film on a substrate is described, wherein the dielectric constant of the low-k dielectric film is less than a value of approximately 4. The method comprises exposing the low-k dielectric film to infrared (IR) radiation and ultraviolet (UV) radiation.

摘要翻译： 描述了在基底上固化低介电常数（低k）电介质膜的方法，其中低k电介质膜的介电常数小于约4的值。该方法包括使低k电介质 膜对红外（IR）辐射和紫外线（UV）辐射。

公开(公告)号：US20090227118A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12043814

申请日：2008-03-06

申请人： Junjun Liu ,  Dorel I. Toma ,  Eric M. Lee

发明人： Junjun Liu ,  Dorel I. Toma ,  Eric M. Lee

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： H01L21/31695 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105

摘要： A method of forming a porous low dielectric constant (low-k) dielectric film on a substrate is described, wherein the dielectric constant of the low-k dielectric film is less than a value of approximately 4. The method comprises exposing the low-k dielectric film to infrared (IR) radiation and adjusting a residual amount of cross-linking inhibitor, such as pore-generating material, within the low-k dielectric film.

摘要翻译： 描述了在衬底上形成多孔低介电常数（低k）电介质膜的方法，其中低k电介质膜的介电常数小于大约4的值。该方法包括将低k 介电膜对红外（IR）辐射，并调节低k电介质膜内的残留量的交联抑制剂，如孔产生材料。

公开(公告)号：US20100068897A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：US12211681

申请日：2008-09-16

申请人： Junjun Liu ,  Jacques Faguet ,  Eric M. Lee ,  Dorel I. Toma ,  Hongyu Yue

发明人： Junjun Liu ,  Jacques Faguet ,  Eric M. Lee ,  Dorel I. Toma ,  Hongyu Yue

IPC分类号： H01L21/00 ,  A61N5/00

CPC分类号： H01L21/67115 ,  H01L21/3105

摘要： A system for curing a low dielectric constant (low-k) dielectric film on a substrate is described, wherein the dielectric constant of the low-k dielectric film is less than a value of approximately 4. The system comprises one or more process modules configured for exposing the low-k dielectric film to electromagnetic (EM) radiation, such as infrared (IR) radiation and ultraviolet (UV) radiation.

摘要翻译： 描述了用于固化衬底上的低介电常数（低k）电介质膜的系统，其中低k电介质膜的介电常数小于约4的值。该系统包括一个或多个工艺模块配置 用于将低k电介质膜暴露于诸如红外（IR）辐射和紫外（UV）辐射的电磁（EM）辐射。

公开(公告)号：US20100067886A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：US12211675

申请日：2008-09-16

申请人： Junjun Liu ,  Jacques Faguet ,  Eric M. Lee ,  Dorel I. Toma ,  Hongyu Yue

发明人： Junjun Liu ,  Jacques Faguet ,  Eric M. Lee ,  Dorel I. Toma ,  Hongyu Yue

IPC分类号： A21B2/00

CPC分类号： H01L21/31695 ,  B05D1/002 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/0263 ,  B05D3/067 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105

摘要： A system for curing a low dielectric constant (low-k) dielectric film on a substrate is described, wherein the dielectric constant of the low-k dielectric film is less than a value of approximately 4. The system comprises one or more process modules configured for exposing the low-k dielectric film to electromagnetic (EM) radiation, such as infrared (IR) radiation and ultraviolet (UV) radiation.

摘要翻译： 描述了用于固化衬底上的低介电常数（低k）电介质膜的系统，其中低k电介质膜的介电常数小于大约4的值。该系统包括一个或多个工艺模块配置 用于将低k电介质膜暴露于诸如红外（IR）辐射和紫外（UV）辐射的电磁（EM）辐射。

公开(公告)号：US20100065759A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：US12211640

申请日：2008-09-16

申请人： Junjun Liu ,  Jacques Faguet ,  Eric M. Lee ,  Dorel I. Toma ,  Hongyu Yue

发明人： Junjun Liu ,  Jacques Faguet ,  Eric M. Lee ,  Dorel I. Toma ,  Hongyu Yue

IPC分类号： A61N5/00

CPC分类号： H01L21/67115 ,  B23K26/082 ,  B23K26/12 ,  B23K26/127 ,  C23C16/56

摘要： A system for curing a low dielectric constant (low-k) dielectric film on a substrate is described, wherein the dielectric constant of the low-k dielectric film is less than a value of approximately 4. The system comprises one or more process modules configured for exposing the low-k dielectric film to electromagnetic (EM) radiation, such as infrared (IR) radiation and ultraviolet (UV) radiation.

摘要翻译： 描述了用于固化衬底上的低介电常数（低k）电介质膜的系统，其中低k电介质膜的介电常数小于约4的值。该系统包括一个或多个工艺模块配置 用于将低k电介质膜暴露于诸如红外（IR）辐射和紫外（UV）辐射的电磁（EM）辐射。

公开(公告)号：US20100065758A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：US12211598

申请日：2008-09-16

申请人： Junjun Liu ,  Jacques Faguet ,  Eric M. Lee ,  Dorel I. Toma ,  Hongyu Yue

发明人： Junjun Liu ,  Jacques Faguet ,  Eric M. Lee ,  Dorel I. Toma ,  Hongyu Yue

IPC分类号： G21K5/00

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67207

摘要： A system for curing a low dielectric constant (low-k) dielectric film on a substrate is described, wherein the dielectric constant of the low-k dielectric film is less than a value of approximately 4. The system comprises one or more process modules configured for exposing the low-k dielectric film to electromagnetic (EM) radiation, such as infrared (IR) radiation and ultraviolet (UV) radiation.

摘要翻译： 描述了用于固化衬底上的低介电常数（低k）电介质膜的系统，其中低k电介质膜的介电常数小于大约4的值。该系统包括一个或多个工艺模块配置 用于将低k电介质膜暴露于诸如红外（IR）辐射和紫外（UV）辐射的电磁（EM）辐射。

公开(公告)号：US20090226695A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12043850

申请日：2008-03-06

申请人： Junjun Liu ,  Dorel I. Toma ,  Eric M. Lee

发明人： Junjun Liu ,  Dorel I. Toma ,  Eric M. Lee

IPC分类号： H01L21/31 ,  B32B3/26

CPC分类号： H01L21/31633 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02318 ,  Y10T428/249953

摘要： A method of preparing a porous dielectric film on a substrate is described. The method comprises exposing the porous dielectric film to infrared (IR) radiation, while not exposing the porous dielectric film to any ultraviolet (UV) radiation preceding, during and following the IR exposure.

摘要翻译： 描述了在衬底上制备多孔电介质膜的方法。 该方法包括将多孔电介质膜暴露于红外（IR）辐射，同时不将多孔介电膜暴露于IR曝光之前，期间和之后的任何紫外线（UV）辐射。