公开(公告)号：US08467239B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US12958502

申请日：2010-12-02

申请人： Johannes A. Kalb ,  Brett E. Klehn

发明人： Johannes A. Kalb ,  Brett E. Klehn

IPC分类号： G11C11/09

CPC分类号： G11C13/0097 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0092

摘要： A phase change memory (PCM) device utilizes low energy pulses to write data to PCM storage elements (cells). Methods, devices and systems are described that use low energy reset pulses to reset cells that have been previously set using a method that keeps a portion of the PCM cells in an amorphous phase. The reset is reversible by utilizing a low energy set pulse.

摘要翻译： 相变存储器（PCM）器件利用低能量脉冲将数据写入PCM存储元件（单元）。 描述了使用低能量复位脉冲来复位已经使用将一部分PCM单元保持在非晶相的方法预先设定的单元的方法，装置和系统。 通过利用低能量设定脉冲可以实现复位。

公开(公告)号：US08437182B2

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US12958502

申请日：2010-12-02

申请人： Johannes A. Kalb ,  Brett E. Klehn

发明人： Johannes A. Kalb ,  Brett E. Klehn

IPC分类号： G11C11/09

摘要： A phase change memory (PCM) device utilizes low energy pulses to write data to PCM storage elements (cells). Methods, devices and systems are described that use low energy reset pulses to reset cells that have been previously set using a method that keeps a portion of the PCM cells in an amorphous phase. The reset is reversible by utilizing a low energy set pulse.

公开(公告)号：US20120140553A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US12958502

申请日：2010-12-02

申请人： Johannes A. Kalb ,  Brett E. Klehn

发明人： Johannes A. Kalb ,  Brett E. Klehn

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0097 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0092

摘要： A phase change memory (PCM) device utilizes low energy pulses to write data to PCM storage elements (cells). Methods, devices and systems are described that use low energy reset pulses to reset cells that have been previously set using a method that keeps a portion of the PCM cells in an amorphous phase. The reset is reversible by utilizing a low energy set pulse.

摘要翻译： 相变存储器（PCM）器件利用低能量脉冲将数据写入PCM存储元件（单元）。 描述了使用低能量复位脉冲来复位已经使用将一部分PCM单元保持在非晶相的方法预先设定的单元的方法，装置和系统。 通过利用低能量设定脉冲可以实现复位。