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    Method of manufacturing a CMOS image sensor
    2.
    发明授权
    Method of manufacturing a CMOS image sensor 失效
    CMOS图像传感器的制造方法

    公开(公告)号：US08043927B2

    公开(公告)日：2011-10-25

    申请号：US12457773

    申请日：2009-06-22

    申请人： Byung-Jun Park ,  Tae-Hun Lee ,  Seung-Hun Shin

    发明人： Byung-Jun Park ,  Tae-Hun Lee ,  Seung-Hun Shin

    IPC分类号： H01L21/76

    CPC分类号： H01L27/14683 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  Y10S438/975

    摘要： In a method of manufacturing a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensor (CIS), an epitaxial layer may be formed on a first substrate including a chip area and a scribe lane area. A first impurity layer may be formed adjacent to the first substrate by implanting first impurities into the epitaxial layer. A photodiode may be formed in the epitaxial layer on the chip area. A circuit element electrically connected to the photodiode may be formed on the epitaxial layer. A protective layer protecting the circuit element may be formed on the epitaxial layer. A second substrate may be attached onto the protective layer. The first substrate may be removed to expose the epitaxial layer. A color filter layer may be formed on the exposed epitaxial layer using the first impurity layer as an alignment key. A microlens may be formed over the color filter layer.

    摘要翻译： 在制造互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器（CIS）的方法中，可以在包括芯片区域和划线区域的第一基板上形成外延层。 可以通过将第一杂质注入到外延层中而与第一衬底相邻地形成第一杂质层。 可以在芯片区域上的外延层中形成光电二极管。 电连接到光电二极管的电路元件可以形成在外延层上。 可以在外延层上形成保护电路元件的保护层。 第二基底可以附着在保护层上。 可以去除第一衬底以暴露外延层。 可以使用第一杂质层作为对准键，在暴露的外延层上形成滤色器层。 可以在滤色器层上形成微透镜。

    Methods of forming a through via structure
    5.
    发明授权
    Methods of forming a through via structure 有权
    形成通孔结构的方法

    公开(公告)号：US09048354B2

    公开(公告)日：2015-06-02

    申请号：US13803821

    申请日：2013-03-14

    申请人： Byung-Jun Park ,  Seung-Hun Shin

    发明人： Byung-Jun Park ,  Seung-Hun Shin

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/768 ,  H01L27/146 ,  H01L23/48

    CPC分类号： H01L27/14645 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/022408 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Methods of manufacturing an integrated circuit device including a through via structure are provided. The methods may include forming an isolation trench through a substrate to form an inner substrate, which is enclosed by the isolation trench and forming an insulating layer in the isolation trench and on a surface of the substrate. The methods may also include forming a hole, which is spaced apart from the isolation trench and passes through a portion of the insulating layer formed on the surface of the substrate and the inner substrate and forming a conductive layer in the hole and on the insulating layer formed on the surface of the substrate. The methods may be used to manufacture image sensors.

    摘要翻译： 提供了包括通孔结构的集成电路器件的制造方法。 所述方法可以包括通过衬底形成隔离沟槽以形成内部衬底，其被隔离沟槽包围并在隔离沟槽中和衬底的表面上形成绝缘层。 所述方法还可以包括形成与隔离沟槽间隔开的孔，并穿过形成在衬底表面和内衬底上的绝缘层的一部分，并在孔中和绝缘层上形成导电层 形成在基板的表面上。 该方法可用于制造图像传感器。

    Method of manufacturing a CMOS image sensor
    6.
    发明申请
    Method of manufacturing a CMOS image sensor 失效
    CMOS图像传感器的制造方法

    公开(公告)号：US20090317933A1

    公开(公告)日：2009-12-24

    申请号：US12457773

    申请日：2009-06-22

    申请人： Byung-Jun Park ,  Tae-Hun Lee ,  Seung-Hun Shin

    发明人： Byung-Jun Park ,  Tae-Hun Lee ,  Seung-Hun Shin

    IPC分类号： H01L31/0232

    CPC分类号： H01L27/14683 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  Y10S438/975

    摘要： In a method of manufacturing a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensor (CIS), an epitaxial layer may be formed on a first substrate including a chip area and a scribe lane area. A first impurity layer may be formed adjacent to the first substrate by implanting first impurities into the epitaxial layer. A photodiode may be formed in the epitaxial layer on the chip area. A circuit element electrically connected to the photodiode may be formed on the epitaxial layer. A protective layer protecting the circuit element may be formed on the epitaxial layer. A second substrate may be attached onto the protective layer. The first substrate may be removed to expose the epitaxial layer. A color filter layer may be formed on the exposed epitaxial layer using the first impurity layer as an alignment key. A microlens may be formed over the color filter layer.

    摘要翻译： 在制造互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器（CIS）的方法中，可以在包括芯片区域和划线区域的第一基板上形成外延层。 可以通过将第一杂质注入到外延层中而与第一衬底相邻地形成第一杂质层。 可以在芯片区域上的外延层中形成光电二极管。 电连接到光电二极管的电路元件可以形成在外延层上。 可以在外延层上形成保护电路元件的保护层。 第二基底可以附着在保护层上。 可以去除第一衬底以暴露外延层。 可以使用第一杂质层作为对准键，在暴露的外延层上形成滤色器层。 可以在滤色器层上形成微透镜。

    Image sensor and method of manufacturing the same
    10.
    发明申请
    Image sensor and method of manufacturing the same 审中-公开
    图像传感器及其制造方法

    公开(公告)号：US20090085143A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：US12285148

    申请日：2008-09-30

    申请人： Byung-Jun Park

    发明人： Byung-Jun Park

    IPC分类号： H01L27/146 ,  B44C1/22

    CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683

    摘要： Image sensors and methods of fabricating the same are provided. An image sensor may include a substrate, a first pad provided on a front side of the substrate, a second pad provided on a backside of the substrate, one or more contacts, each of the contacts passing through the substrate and electrically connecting the first pad with the second pad, and one or more guard rings, each of the guard rings surrounding one or more contacts and having insulating characteristics.

    摘要翻译： 提供了图像传感器及其制造方法。 图像传感器可以包括基板，设置在基板的前侧上的第一焊盘，设置在基板的背面上的第二焊盘，一个或多个触点，每个触点穿过基板并电连接第一焊盘 与第二焊盘和一个或多个保护环，每个保护环围绕一个或多个触点并具有绝缘特性。