公开(公告)号：US20140198972A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：US14224534

申请日：2014-03-25

Applicant: ASML NETHERLANDS B.V.

Inventor： Yu CAO ,  Luoqi CHEN ,  Antoine Jean BRUGUIER ,  Wenjin SHAO

IPC: G06T3/00

CPC classification number: G06T3/0056 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70666 ,  G03F7/70675 ,  G06T7/0004

Abstract: A method for determining an image of a mask pattern in a resist coated on a substrate, the method including determining an aerial image of the mask pattern at substrate level; and convolving the aerial image with at least two orthogonal convolution kernels to determine a resist image that is representative of the mask pattern in the resist.

Abstract translation: 一种用于确定涂覆在基板上的抗蚀剂中的掩模图案的图像的方法，所述方法包括：确定掩模图案在基板层面的空间图像; 以及使用至少两个正交卷积内核卷积该空间图像以确定表示抗蚀剂中的掩模图案的抗蚀剂图像。