公开(公告)号：US08890271B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US12966535

申请日：2010-12-13

申请人： Turgut Tut ,  Peter Duane ,  Young-June Yu ,  Winnie N. Ye ,  Munib Wober ,  Kenneth B. Crozier

发明人： Turgut Tut ,  Peter Duane ,  Young-June Yu ,  Winnie N. Ye ,  Munib Wober ,  Kenneth B. Crozier

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L31/0216 ,  H01L21/311 ,  H01L31/105

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02165 ,  H01L31/105

摘要： Various embodiments for etching of silicon nitride (SixNy) lightpipes, waveguides and pillars, fabricating photodiode elements, and integration of the silicon nitride elements with photodiode elements are described. The results show that the quantum efficiency of the photodetectors (PDs) can be increased using vertical silicon nitride vertical waveguides.

摘要翻译： 描述了用于蚀刻氮化硅（SixNy）光管，波导和柱，制造光电二极管元件以及氮化硅元件与光电二极管元件的集成的各种实施例。 结果表明，使用垂直氮化硅垂直波导可以提高光电探测器（PD）的量子效率。

公开(公告)号：US20120001284A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：US12966535

申请日：2010-12-13

申请人： Turgut TUT ,  Peter Duane ,  Young-June Yu ,  Winnie N. Ye ,  Munib Wober ,  Kenneth B. Crozier

发明人： Turgut TUT ,  Peter Duane ,  Young-June Yu ,  Winnie N. Ye ,  Munib Wober ,  Kenneth B. Crozier

IPC分类号： H01L31/0232 ,  C01B21/068 ,  H01L31/0256 ,  H01L21/302 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02165 ,  H01L31/105

摘要： Various embodiments for etching of silicon nitride (SixNy) lightpipes, waveguides and pillars, fabricating photodiode elements, and integration of the silicon nitride elements with photodiode elements are described. The results show that the quantum efficiency of the photodetectors (PDs) can be increased using vertical silicon nitride vertical waveguides.

摘要翻译： 描述了用于蚀刻氮化硅（SixNy）光管，波导和柱，制造光电二极管元件以及氮化硅元件与光电二极管元件的集成的各种实施例。 结果表明，使用垂直氮化硅垂直波导可以提高光电探测器（PD）的量子效率。

公开(公告)号：US20100304061A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12472271

申请日：2009-05-26

申请人： Winnie N. Ye ,  Kenneth B. Crozier ,  Peter Duane ,  Munib Wober

发明人： Winnie N. Ye ,  Kenneth B. Crozier ,  Peter Duane ,  Munib Wober

IPC分类号： B32B1/08 ,  C23F1/00 ,  B32B3/10 ,  B32B3/00

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L27/14621 ,  Y10T428/131 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24479

摘要： Methods, apparatuses, systems, and devices relating to the fabrication of features for semiconductor devices are disclosed. The features may include vias and pillars. In some implementations, the vias may define light pipes for semiconductor image sensor devices that serve to guide electromagnetic radiation directly down to photodiodes or other radiation detecting elements formed on an underlying silicon substrate. These structures significantly improve the light collection efficiency and reduce the scattering and crosstalk losses in the dielectric layer. An etch mask may be used to produce features through a subsequent etching process. More specifically, the etch mask defines sidewalls in the glass layer, provides excellent dry etch resistance, and enables easy lift-off of the etch mask from the glass layer. Two embodiments are disclosed herein: the first using amorphous silicon as the etch mask; and the second employing a photoresist as the etch mask. Both embodiments produce high aspect ratio features having generally vertical and smooth sidewalls.

摘要翻译： 公开了与半导体器件的特征的制造相关的方法，装置，系统和装置。 特征可以包括通孔和支柱。 在一些实施方案中，通孔可以限定用于半导体图像传感器装置的光管，其用于将电磁辐射直接引导到形成在下面的硅衬底上的光电二极管或其它辐射检测元件。 这些结构显着提高了光的收集效率，并减少了介电层中的散射和串扰损失。 蚀刻掩模可以用于通过随后的蚀刻工艺产生特征。 更具体地，蚀刻掩模限定玻璃层中的侧壁，提供优异的耐干蚀刻性，并且能够容易地从玻璃层剥离蚀刻掩模。 本文公开了两个实施例：第一使用非晶硅作为蚀刻掩模; 第二种采用光致抗蚀剂作为蚀刻掩模。 两个实施例都产生具有大致垂直和平滑侧壁的高纵横比特征。