公开(公告)号：US08168540B1

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：US12649237

申请日：2009-12-29

申请人： Jonathan Reid ,  Sesha Varadarajan ,  Ugur Emekli

发明人： Jonathan Reid ,  Sesha Varadarajan ,  Ugur Emekli

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76898 ,  C25D3/38 ,  C25D5/10 ,  C25D5/50 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76873

摘要： Apparatus and methods for depositing copper on tungsten are presented. The invention finds particular use in the semiconductor industry for depositing copper seed layers onto fields or through silicon vias having tungsten barrier layers, both reducing cost and complexity of existing methods.

摘要翻译： 介绍了在钨上沉积铜的装置和方法。 本发明在半导体工业中特别用于将铜籽晶层沉积到场上或通过具有钨阻挡层的硅通孔，既降低了现有方法的成本和复杂性。

公开(公告)号：US08377824B1

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US13437531

申请日：2012-04-02

申请人： Jonathan Reid ,  Sesha Varadarajan ,  Ugur Emekli

发明人： Jonathan Reid ,  Sesha Varadarajan ,  Ugur Emekli

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76898 ,  C25D3/38 ,  C25D5/10 ,  C25D5/50 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76873

摘要： Apparatus and methods for depositing copper on tungsten are presented. The invention finds particular use in the semiconductor industry for depositing copper seed layers onto fields or through silicon vias having tungsten barrier layers, both reducing cost and complexity of existing methods.

摘要翻译： 介绍了在钨上沉积铜的装置和方法。 本发明在半导体工业中特别用于将铜籽晶层沉积到场上或通过具有钨阻挡层的硅通孔，既降低了现有方法的成本和复杂性。