公开(公告)号：US20110049542A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12935913

申请日：2009-05-27

申请人： So Tanaka ,  Kenichi Miyahara ,  Hiroyuki Kitabayashi ,  Koji Katayama ,  Tomonori Morishita ,  Tatsuya Moriwake

发明人： So Tanaka ,  Kenichi Miyahara ,  Hiroyuki Kitabayashi ,  Koji Katayama ,  Tomonori Morishita ,  Tatsuya Moriwake

IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L33/30 ,  C30B19/12

CPC分类号： H01L33/0062 ,  C30B19/00 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628

摘要： The present invention makes available AlxGa(1-x)As (0≦x≦1) substrates, epitaxial wafers for infrared LEDs, infrared LEDs, methods of manufacturing AlxGa(1-x)As substrates, methods of manufacturing epitaxial wafers for infrared LEDs, and methods of manufacturing infrared LEDs, whereby a high level of transmissivity is maintained, and through which, in the fabrication of semiconductor devices, the devices prove to have superior characteristics.An AlxGa(1-x)As substrate (10a) of the present invention is an AlxGa(1-x)As substrate (10a) furnished with an AlxGa(1-x)As layer (11) having a major surface (11a) and, on the reverse side from the major surface (11a), a rear face (11b), and is characterized in that in the AlxGa(1-x)As layer (11), the amount fraction x of Al in the rear face (11b) is greater than the amount fraction x of Al in the major surface (11a). In addition, the AlxGa(1-x)As substrate (10a) is further furnished with a GaAs substrate (13), contacting the rear face (11b) of the AlxGa(1-x)As layer (11).

摘要翻译： 本发明提供了Al x Ga（1-x）As（0＆nlE; x＆nlE; 1）衬底，用于红外LED的外延晶片，红外LED，制造Al x Ga（1-x）As衬底的方法，制造用于红外LED的外延晶片的方法 以及制造红外LED的方法，由此保持高水平的透射率，并且在半导体器件的制造中证明该器件具有优异的特性。 本发明的Al x Ga（1-x）As衬底（10a）是具有主表面（11a）的Al x Ga（1-x）As层（11）的Al x Ga（1-x）As衬底（10a） 并且在与主表面（11a）相反的一侧具有背面（11b），其特征在于，在Al x Ga（1-x）As层（11）中，后面的Al的量分数x （11b）大于主表面（11a）中的Al的量分数x。 此外，Al x Ga（1-x）As衬底（10a）还具有与Al x Ga（1-x）As层（11）的背面（11b）接触的GaAs衬底（13）。

公开(公告)号：US20070187696A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US10594742

申请日：2005-03-24

申请人： Shigeya Naritsuka ,  Takahiro Maruyama ,  Tatsuya Moriwake

发明人： Shigeya Naritsuka ,  Takahiro Maruyama ,  Tatsuya Moriwake

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0066 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

摘要： A semiconductor light emitting device including a transparent compound semiconductor substrate whose lattice constant is inconsistent with the compound semiconductor emitting the light and exhibiting high light output is obtained. A semiconductor light emitting device includes a GaP substrate, an active layer located above GaP substrate and including an n-type AlInGaP layer and a p-type AlInGaP layer, and an ELO layer located between GaP substrate and active layer and formed by epitaxial lateral growth.

摘要翻译： 一种半导体发光器件，其包括晶格常数与发出光并且表现出高光输出的化合物半导体不一致的透明化合物半导体衬底。 半导体发光器件包括GaP衬底，位于GaP衬底之上并包括n型AlInGaP层和p型AlInGaP层的有源层和位于GaP衬底和有源层之间并通过外延横向生长形成的ELO层 。

公开(公告)号：US20110062466A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：US12921152

申请日：2009-05-27

申请人： So Tanaka ,  Kenichi Miyahara ,  Hiroyuki Kitabayashi ,  Koji Katayama ,  Tomonori Morishita ,  Tatsuya Moriwake

发明人： So Tanaka ,  Kenichi Miyahara ,  Hiroyuki Kitabayashi ,  Koji Katayama ,  Tomonori Morishita ,  Tatsuya Moriwake

IPC分类号： H01L33/30 ,  H01L29/205 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L33/02 ,  C30B19/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079

摘要： Affords AlxGa(1-x)As (0≦x≦1) substrates epitaxial wafers for infrared LEDs, infrared LEDs, methods of manufacturing AlxGa(1-x)As substrates, methods of manufacturing epitaxial wafers for infrared LEDs, and methods of manufacturing infrared LEDs, whereby a high level of transmissivity is maintained, and through which, in the fabrication of semiconductor devices, the devices prove to have superior light output characteristics. An AlxGa(1-x)As substrate (10a) as disclosed is an AlxGa(1-x)As substrate (10a) furnished with an AlxGa(1-x)As layer (11) having a major surface (11a) and, on the reverse side from the major surface (11a), a rear face (11b), and is characterized in that in the AlxGa(1-x)As layer (11), the amount fraction x of Al in the rear face (11b) is greater the amount fraction x of Al in the major surface (11a). The AlxGa(1-x)As substrate (10a) may additionally be provided with a GaAs substrate (13), contacting the rear face (11b) of the AlxGa(1-x)As layer (11).

摘要翻译： 提供用于红外线LED的外延晶片AlxGa（1-x）As（0＆nlE; x＆nlE; 1）衬底，红外LED，制造AlxGa（1-x）As衬底的方法，制造用于红外LED的外延晶片的方法和制造方法 红外LED，由此保持高水平的透射率，并且在半导体器件的制造中，器件被证明具有优异的光输出特性。 所公开的Al x Ga（1-x）As衬底（10a）是配备有具有主表面（11a）的Al x Ga（1-x）As层（11）的Al x Ga（1-x）As衬底（10a） 其特征在于，在Al x Ga（1-x）As层（11）中，后表面（11b）中的Al的量分数x ）大于主表面（11a）中的Al的量分数x。 Al x Ga（1-x）As衬底（10a）可以另外设置有与Al x Ga（1-x）As层（11）的背面（11b）接触的GaAs衬底（13）。

公开(公告)号：US20110042706A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12990646

申请日：2009-05-27

申请人： So Tanaka ,  Kenichi Miyahara ,  Hiroyuki Kitabayashi ,  Koji Katayama ,  Tomonori Morishita ,  Tatsuya Moriwake

发明人： So Tanaka ,  Kenichi Miyahara ,  Hiroyuki Kitabayashi ,  Koji Katayama ,  Tomonori Morishita ,  Tatsuya Moriwake

IPC分类号： H01L33/30 ,  H01L29/20 ,  H01L33/46 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/02 ,  C30B19/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/30

摘要： Affords AlxGa(1-x)As (0≦x≦1) substrates, epitaxial wafers for infrared LEDs, infrared LEDs, methods of manufacturing AlxGa(1-x)As substrates, methods of manufacturing epitaxial wafers for infrared LEDs, and methods of manufacturing infrared LEDs, whereby a high level of transmissivity is maintained, and through which, in the fabrication of semiconductor devices, the devices prove to have superior characteristics. An AlxGa(1-x)As substrate (10a) of the present invention is an AlxGa(1-x)As substrate (10a) furnished with an AlxGa(1-x)As layer (11) having a major surface (11a) and, on the reverse side from the major surface (11a), a rear face (11b), and is characterized in that in the AlxGa(1-x)As layer (11), the amount fraction x of Al in the rear face (11b) is greater than the amount fraction x of Al in the major surface (11a). In addition, the AlxGa(1-x)As substrate (10a) is further furnished with a GaAs substrate (13), contacting the rear face (11b) of the AlxGa(1-x)As layer (11).

摘要翻译： 提供Al x Ga（1-x）As（0＆nlE; x＆nlE; 1）衬底，用于红外LED的外延晶片，红外LED，制造Al x Ga（1-x）As衬底的方法，制造用于红外LED的外延晶片的方法， 制造红外LED，由此保持高水平的透射率，并且在半导体器件的制造中证明该器件具有优异的特性。 本发明的Al x Ga（1-x）As衬底（10a）是具有主表面（11a）的Al x Ga（1-x）As层（11）的Al x Ga（1-x）As衬底（10a） 并且在与主表面（11a）相反的一侧具有背面（11b），其特征在于，在Al x Ga（1-x）As层（11）中，后面的Al的量分数x （11b）大于主表面（11a）中的Al的量分数x。 此外，Al x Ga（1-x）As衬底（10a）还具有与Al x Ga（1-x）As层（11）的背面（11b）接触的GaAs衬底（13）。