公开(公告)号：US08044469B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12585313

申请日：2009-09-11

申请人： Hongbae Park ,  Hagju Cho ,  Sunghun Hong ,  Sangjin Hyun ,  Hoonjoo Na ,  Hyung-seok Hong

发明人： Hongbae Park ,  Hagju Cho ,  Sunghun Hong ,  Sangjin Hyun ,  Hoonjoo Na ,  Hyung-seok Hong

IPC分类号： H01L21/70

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A semiconductor device and associated methods, the semiconductor device including a semiconductor substrate with a first well region, a first gate electrode disposed on the first well region, and a first N-type capping pattern, a first P-type capping pattern, and a first gate dielectric pattern disposed between the first well region and the first gate electrode.

摘要翻译： 一种半导体器件及相关方法，所述半导体器件包括具有第一阱区的半导体衬底，设置在第一阱区上的第一栅电极和第一N型封盖图案，第一P型封盖图案和 第一栅极电介质图案，设置在第一阱区域和第一栅极电极之间。

公开(公告)号：US20100072556A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12585313

申请日：2009-09-11

申请人： Hongbae PARK ,  Hagju CHO ,  Sunghun HONG ,  Sangjin HYUN ,  Hoonjoo NA ,  Hyung-seok HONG

发明人： Hongbae PARK ,  Hagju CHO ,  Sunghun HONG ,  Sangjin HYUN ,  Hoonjoo NA ,  Hyung-seok HONG

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A semiconductor device and associated methods, the semiconductor device including a semiconductor substrate with a first well region, a first gate electrode disposed on the first well region, and a first N-type capping pattern, a first P-type capping pattern, and a first gate dielectric pattern disposed between the first well region and the first gate electrode.

摘要翻译： 一种半导体器件及相关方法，所述半导体器件包括具有第一阱区的半导体衬底，设置在第一阱区上的第一栅电极和第一N型封盖图案，第一P型封盖图案和 第一栅极电介质图案，设置在第一阱区域和第一栅极电极之间。

公开(公告)号：US08633546B2

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：US13554514

申请日：2012-07-20

申请人： Hongbae Park ,  Hagju Cho ,  Sunghun Hong ,  Sangjin Hyun ,  Hoonjoo Na ,  Hyung-seok Hong

发明人： Hongbae Park ,  Hagju Cho ,  Sunghun Hong ,  Sangjin Hyun ,  Hoonjoo Na ,  Hyung-seok Hong

IPC分类号： H01L21/70

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A semiconductor device and associated methods, the semiconductor device including a semiconductor substrate with a first well region, a first gate electrode disposed on the first well region, and a first N-type capping pattern, a first P-type capping pattern, and a first gate dielectric pattern disposed between the first well region and the first gate electrode.

摘要翻译： 一种半导体器件及相关方法，所述半导体器件包括具有第一阱区的半导体衬底，设置在第一阱区上的第一栅电极和第一N型封盖图案，第一P型封盖图案和 第一栅极电介质图案，设置在第一阱区域和第一栅极电极之间。

公开(公告)号：US08278168B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US13237051

申请日：2011-09-20

申请人： Hongbae Park ,  Hagju Cho ,  Sunghun Hong ,  Sangjin Hyun ,  Hoonjoo Na ,  Hyung-seok Hong

发明人： Hongbae Park ,  Hagju Cho ,  Sunghun Hong ,  Sangjin Hyun ,  Hoonjoo Na ,  Hyung-seok Hong

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A semiconductor device and associated methods, the semiconductor device including a semiconductor substrate with a first well region, a first gate electrode disposed on the first well region, and a first N-type capping pattern, a first P-type capping pattern, and a first gate dielectric pattern disposed between the first well region and the first gate electrode.

摘要翻译： 一种半导体器件及相关方法，所述半导体器件包括具有第一阱区的半导体衬底，设置在第一阱区上的第一栅电极和第一N型封盖图案，第一P型封盖图案和 第一栅极电介质图案，设置在第一阱区域和第一栅极电极之间。

公开(公告)号：US20120280329A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13554514

申请日：2012-07-20

申请人： Hongbae PARK ,  Hagju CHO ,  Sunghun HONG ,  Sangjin HYUN ,  Hoonjoo NA ,  Hyung-seok HONG

发明人： Hongbae PARK ,  Hagju CHO ,  Sunghun HONG ,  Sangjin HYUN ,  Hoonjoo NA ,  Hyung-seok HONG

IPC分类号： H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A semiconductor device and associated methods, the semiconductor device including a semiconductor substrate with a first well region, a first gate electrode disposed on the first well region, and a first N-type capping pattern, a first P-type capping pattern, and a first gate dielectric pattern disposed between the first well region and the first gate electrode.

摘要翻译： 一种半导体器件及相关方法，所述半导体器件包括具有第一阱区的半导体衬底，设置在第一阱区上的第一栅电极和第一N型封盖图案，第一P型封盖图案和 第一栅极电介质图案，设置在第一阱区域和第一栅极电极之间。

公开(公告)号：US20120009746A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US13237051

申请日：2011-09-20

申请人： Hongbae Park ,  Hagju Cho ,  Sunghun Hong ,  Sangjin Hyun ,  Hoonjoo Na ,  Hyung-seok Hong

发明人： Hongbae Park ,  Hagju Cho ,  Sunghun Hong ,  Sangjin Hyun ,  Hoonjoo Na ,  Hyung-seok Hong

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A semiconductor device and associated methods, the semiconductor device including a semiconductor substrate with a first well region, a first gate electrode disposed on the first well region, and a first N-type capping pattern, a first P-type capping pattern, and a first gate dielectric pattern disposed between the first well region and the first gate electrode.

摘要翻译： 一种半导体器件及相关方法，所述半导体器件包括具有第一阱区的半导体衬底，设置在第一阱区上的第一栅电极和第一N型封盖图案，第一P型封盖图案和 第一栅极电介质图案，设置在第一阱区域和第一栅极电极之间。