公开(公告)号：US20090075483A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US11254838

申请日：2005-10-20

申请人： Subhendu Guha ,  Arindam Banerjee ,  Kevin Beernink ,  Todd Johnson ,  Ginger Pietka ,  Gregory DeMaggio ,  Shengzhong (Frank) Liu ,  Jeffrey Yang

发明人： Subhendu Guha ,  Arindam Banerjee ,  Kevin Beernink ,  Todd Johnson ,  Ginger Pietka ,  Gregory DeMaggio ,  Shengzhong (Frank) Liu ,  Jeffrey Yang

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L31/04

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  Y02E10/50

摘要： An ultra lightweight semiconductor device such as a photovoltaic device is fabricated on a non-etchable barrier layer which is disposed upon an etchable substrate. The device is contacted with an appropriate etchant for a period of time sufficient to remove at least a portion of the thickness of the substrate. The barrier layer prevents damage to the photovoltaic material during the etching process. Photovoltaic devices fabricated by this method have specific power levels in excess of 300 w/kg.

摘要翻译： 诸如光电器件的超轻量半导体器件被制造在不可蚀刻的阻挡层上，其被设置在可蚀刻的衬底上。 该装置与合适的蚀刻剂接触足以消除基底厚度的至少一部分的时间。 阻挡层防止在蚀刻过程中损坏光伏材料。 通过该方法制造的光伏器件具有超过300w / kg的特定功率水平。

公开(公告)号：US07517465B2

公开(公告)日：2009-04-14

申请号：US11254838

申请日：2005-10-20

申请人： Subhendu Guha ,  Arindam Banerjee ,  Kevin Beernink ,  Todd Johnson ,  Ginger Pietka ,  Gregory DeMaggio ,  Shengzhong (Frank) Liu ,  Jeffrey Yang

发明人： Subhendu Guha ,  Arindam Banerjee ,  Kevin Beernink ,  Todd Johnson ,  Ginger Pietka ,  Gregory DeMaggio ,  Shengzhong (Frank) Liu ,  Jeffrey Yang

IPC分类号： B29D11/00 ,  H01L31/06

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  Y02E10/50

摘要： An ultra lightweight semiconductor device such as a photovoltaic device is fabricated on a non-etchable barrier layer which is disposed upon an etchable substrate. The device is contacted with an appropriate etchant for a period of time sufficient to remove at least a portion of the thickness of the substrate. The barrier layer prevents damage to the photovoltaic material during the etching process. Photovoltaic devices fabricated by this method have specific power levels in excess of 300 w/kg.

摘要翻译： 诸如光电器件的超轻量半导体器件被制造在不可蚀刻的阻挡层上，其被设置在可蚀刻的衬底上。 该装置与合适的蚀刻剂接触足以消除基底厚度的至少一部分的时间。 阻挡层防止在蚀刻过程中损坏光伏材料。 通过该方法制造的光伏器件具有超过300w / kg的特定功率水平。

公开(公告)号：US06482476B1

公开(公告)日：2002-11-19

申请号：US09465405

申请日：1999-12-16

申请人： Shengzhong Frank Liu

发明人： Shengzhong Frank Liu

IPC分类号： C23C1630

CPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/30 ,  C23C16/50

摘要： A low temperature, high growth rate plasma enhanced chemical vapor deposition process is demonstrated for ceramic coatings on metal, alloy and ceramic substrates. The deposition process is carried out at low temperatures (

摘要翻译： 针对金属，合金和陶瓷基板上的陶瓷涂层，展示了低温，高生长速率的等离子体增强化学气相沉积工艺。 沉积过程在低温（<350℃）下进行，以防止本体衬底性能受到不利影响。 在沉积之前，用气体表面硬化工艺处理衬底。 通过将表面热处理工艺与涂覆工艺结合，提高了涂层和基材之间的粘合强度（粘合力）。 硬陶瓷固体润滑剂复合涂层用于燃油喷射器部件，液压阀部件和其他磨损部件。 金属释放剂用于提高沉积效率。 电子回旋共振机理和电磁辐射用于提高粘合强度，生长速率，涂层均匀性，膜平滑性等膜质量。