公开(公告)号：US07338907B2

公开(公告)日：2008-03-04

申请号：US10958537

申请日：2004-10-04

申请人： Tingkai Li ,  Sheng Teng Hsu ,  Bruce D. Ulrich ,  Mark A. Burgholzer ,  Ray A. Hill

发明人： Tingkai Li ,  Sheng Teng Hsu ,  Bruce D. Ulrich ,  Mark A. Burgholzer ,  Ray A. Hill

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391

摘要： A dry etch process is described for selectively etching silicon nitride from conductive oxide material for use in a semiconductor fabrication process. Adding an oxidant in the etch gas mixture could increase the etch rate for the silicon nitride while reducing the etch rate for the conductive oxide, resulting in improving etch selectivity. The disclosed selective etch process is well suited for ferroelectric memory device fabrication using conductive oxide/ferroelectric interface having silicon nitride as the encapsulated material for the ferroelectric.

摘要翻译： 描述了一种干蚀刻工艺，用于从用于半导体制造工艺的导电氧化物材料中选择性地蚀刻氮化硅。 在蚀刻气体混合物中添加氧化剂可以增加氮化硅的蚀刻速率，同时降低导电氧化物的蚀刻速率，从而提高蚀刻选择性。 所公开的选择性蚀刻工艺非常适合于使用具有氮化硅作为铁电体的封装材料的导电氧化物/铁电界面的铁电存储器件制造。