公开(公告)号：US10763179B2

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：US15055062

申请日：2016-02-26

申请人： SEMILAB Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd. ,  Sung-Li Wang ,  Lin-Jung Wu ,  Shyh-Shin Ferng ,  Yi-Hung Lin ,  Sheng-Shin Lin

发明人： Dmitriy Marinskiy ,  Thye Chong Loy ,  Jacek Lagowski ,  Sung-Li Wang ,  Lin-Jung Wu ,  Shyh-Shin Ferng ,  Yi-Hung Lin ,  Sheng-Shin Lin

IPC分类号： G01R31/02 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66 ,  G01R31/265 ,  G01R31/28 ,  G01N17/00

摘要： An example semiconductor wafer includes a semiconductor layer, a dielectric layer disposed on the semiconductor layer, and a layer of the metal disposed on the dielectric layer. An example method of determining an effective work function of a metal on the semiconductor wafer includes determining a surface barrier voltage of the semiconductor wafer, and determining a metal effective work function of the semiconductor wafer based, at least in part, on the surface barrier voltage.

公开(公告)号：US08623468B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US13343857

申请日：2012-01-05

申请人： Su-Horng Lin ,  Lin-Jung Wu ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Su-Horng Lin ,  Lin-Jung Wu ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H05H1/24

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/32051

摘要： Methods of fabricating a metal hard mask and a metal hard mask fabricated by such methods are described. The method includes flowing at least one metal reactant gas into a reaction chamber configured to perform chemical vapor deposition (CVD), wherein the at least one metal reactant gas includes a metal-halogen gas or a metal-organic gas. The method further includes depositing a hard mask metal layer by CVD using the at least one metal reactant gas.

摘要翻译： 描述了通过这种方法制造金属硬掩模和金属硬掩模的方法。 该方法包括将至少一种金属反应物气体流入配置成执行化学气相沉积（CVD）的反应室，其中至少一种金属反应物气体包括金属卤素气体或金属有机气体。 该方法还包括使用至少一种金属反应物气体通过CVD沉积硬掩模金属层。

公开(公告)号：US20130174982A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：US13343857

申请日：2012-01-05

申请人： Su-Horng Lin ,  Lin-Jung Wu ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Su-Horng Lin ,  Lin-Jung Wu ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： H01L21/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/32051

摘要： The present disclosure provides for methods of fabricating a metal hard mask and a metal hard mask fabricated by such methods. A method includes flowing at least one metal reactant gas into a reaction chamber configured to perform chemical vapor deposition (CVD), wherein the at least one metal reactant gas includes a metal-halogen gas or a metal-organic gas. The method further includes depositing a hard mask metal layer by CVD using the at least one metal reactant gas.

摘要翻译： 本公开提供了通过这种方法制造的金属硬掩模和金属硬掩模的制造方法。 一种方法包括将至少一种金属反应物气体流入被配置为进行化学气相沉积（CVD）的反应室，其中所述至少一种金属反应物气体包括金属卤素气体或金属有机气体。 该方法还包括使用至少一种金属反应物气体通过CVD沉积硬掩模金属层。

公开(公告)号：US20160252565A1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：US15055062

申请日：2016-02-26

申请人： Sung-Li Wang ,  Lin-Jung WU ,  Shyh-Shin Ferng ,  Yi-Hung Lin ,  Sheng-Shin Lin ,  Semilab SDI LLC

发明人： Dmitriy Marinskiy ,  Thye Chong Loy ,  Jacek Lagowski ,  Sung-Li Wang ,  Lin-Jung Wu ,  Shyh-Shin Ferng ,  Yi-Hung Lin ,  Sheng-Shin Lin

IPC分类号： G01R31/26 ,  H01L21/66

摘要： An example semiconductor wafer includes a semiconductor layer, a dielectric layer disposed on the semiconductor layer, and a layer of the metal disposed on the dielectric layer. An example method of determining an effective work function of a metal on the semiconductor wafer includes determining a surface barrier voltage of the semiconductor wafer, and determining a metal effective work function of the semiconductor wafer based, at least in part, on the surface barrier voltage.

摘要翻译： 示例性半导体晶片包括半导体层，设置在半导体层上的电介质层和设置在电介质层上的金属层。 确定半导体晶片上的金属的有效功函数的示例性方法包括确定半导体晶片的表面势垒电压，以及至少部分地基于表面势垒电压确定半导体晶片的金属有效功函数 。