公开(公告)号：US6034768A

公开(公告)日：2000-03-07

申请号：US114147

申请日：1998-07-13

申请人： Mark E. Fraser ,  Karl Holtzclaw ,  Amy Hunter ,  Steven J. Davis ,  Lawrence G. Piper

发明人： Mark E. Fraser ,  Karl Holtzclaw ,  Amy Hunter ,  Steven J. Davis ,  Lawrence G. Piper

IPC分类号： G01N21/67 ,  G01N21/71 ,  G01N21/63 ,  G01J3/30

CPC分类号： G01N21/67 ,  G01N21/718

摘要： The invention relates to high power, spark induced breakdown spectroscopy (SIBS) detectors with controllable delay time and to spark induced breakdown spectroscopy plasma generators with dual electrodes with specific electrode material, both for use in methods and apparatuses for detecting spectral signatures of atomic emissions, (e.g., from heavy metals such as lead, mercury, chromium, cadmium, arsenic, antimony and beryllium and radioactive materials such as uranium, plutonium, thorium and technetium) for measuring, for example, atomic concentrations of samples such as vapors and airborne particulates.

摘要翻译： 本发明涉及具有可控延迟时间的高功率，火花诱导击穿光谱（SIBS）检测器和具有特定电极材料的双电极的火花感应击穿等离子体发生器，用于检测原子发射光谱特征的方法和装置， （例如，重金属如铅，汞，铬，镉，砷，锑和铍以及诸如铀，钚，钍和锝等放射性物质）来测量例如原子浓度的样品如蒸气和空气中的颗粒物 。

公开(公告)号：US07920401B2

公开(公告)日：2011-04-05

申请号：US12545892

申请日：2009-08-24

申请人： Chen Xu ,  Thomas W. Voshell ,  Karl Holtzclaw

发明人： Chen Xu ,  Thomas W. Voshell ,  Karl Holtzclaw

IPC分类号： G11C17/00

CPC分类号： G11C17/16 ,  G11C17/18

摘要： Disclosed are apparatus, system and methods of programming and readout of a one-time programmable memory device having an array of memory cells, where the cells include an anti-fuse element and an in-cell amplifier transistor. Circuitry configured for programming and correlated double sampling readout of the cells is also disclosed.

摘要翻译： 公开了具有存储器单元阵列的一次性可编程存储器件的编程和读出的装置，系统和方法，其中单元包括反熔丝元件和单元内放大器晶体管。 还公开了配置用于单元的编程和相关双采样读出的电路。

公开(公告)号：US07593248B2

公开(公告)日：2009-09-22

申请号：US11600202

申请日：2006-11-16

申请人： Chen Xu ,  Thomas W. Voshell ,  Karl Holtzclaw

发明人： Chen Xu ,  Thomas W. Voshell ,  Karl Holtzclaw

IPC分类号： G11C17/00

CPC分类号： G11C17/16 ,  G11C17/18

摘要： Disclosed are apparatus, system and methods of programming and readout of a one-time programmable memory devise having an array of memory cells, where the cells include an anti-fuse element and an in-cell amplifier transistor. Circuitry configured for programming and correlated double sampling readout of the cells is also disclosed.

摘要翻译： 公开了具有存储器单元阵列的一次性可编程存储器设备的编程和读出的装置，系统和方法，其中单元包括反熔丝元件和单元内放大器晶体管。 还公开了配置用于单元的编程和相关双采样读出的电路。

公开(公告)号：US20080117660A1

公开(公告)日：2008-05-22

申请号：US11600202

申请日：2006-11-16

申请人： Chen Xu ,  Thomas W. Voshell ,  Karl Holtzclaw

发明人： Chen Xu ,  Thomas W. Voshell ,  Karl Holtzclaw

IPC分类号： G11C17/00

CPC分类号： G11C17/16 ,  G11C17/18

摘要： Disclosed are apparatus, system and methods of programming and readout of a one-time programmable memory devise having an array of memory cells, where the cells include an anti-fuse element and an in-cell amplifier transistor. Circuitry configured for programming and correlated double sampling readout of the cells is also disclosed.

摘要翻译： 公开了具有存储器单元阵列的一次性可编程存储器设备的编程和读出的装置，系统和方法，其中单元包括反熔丝元件和单元内放大器晶体管。 还公开了配置用于单元的编程和相关双采样读出的电路。

公开(公告)号：US20090316466A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12545892

申请日：2009-08-24

申请人： Chen Xu ,  Thomas W. Voshell ,  Karl Holtzclaw

发明人： Chen Xu ,  Thomas W. Voshell ,  Karl Holtzclaw

IPC分类号： G11C17/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C17/16 ,  G11C17/18

摘要： Disclosed are apparatus, system and methods of programming and readout of a one-time programmable memory devise having an array of memory cells, where the cells include an anti-fuse element and an in-cell amplifier transistor. Circuitry configured for programming and correlated double sampling readout of the cells is also disclosed.

摘要翻译： 公开了具有存储器单元阵列的一次性可编程存储器设备的编程和读出的装置，系统和方法，其中单元包括反熔丝元件和单元内放大器晶体管。 还公开了配置用于单元的编程和相关双采样读出的电路。

公开(公告)号：US20080117661A1

公开(公告)日：2008-05-22

申请号：US11600203

申请日：2006-11-16

申请人： Karl Holtzclaw ,  Chen Xu ,  Richard A. Mauritzson ,  Yangdon Chen ,  Jeffrey Bruce ,  Xiangli Li ,  Johannes Solhusvik

发明人： Karl Holtzclaw ,  Chen Xu ,  Richard A. Mauritzson ,  Yangdon Chen ,  Jeffrey Bruce ,  Xiangli Li ,  Johannes Solhusvik

IPC分类号： G11C17/18 ,  G11C11/34

CPC分类号： H04N5/335 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/14643 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method, apparatus, and system are disclosed providing an imaging device with memory cells containing anti-fuse elements located with or outside a pixel array. The memory cells are read out using control signal lines which are used to readout imaging pixels.

摘要翻译： 公开了一种提供成像装置的存储单元的方法，装置和系统，所述存储单元包含位于像素阵列内或外的反熔丝元件。 使用用于读出成像像素的控制信号线读出存储单元。