公开(公告)号：US4547247A

公开(公告)日：1985-10-15

申请号：US588031

申请日：1984-03-09

申请人： Douglas H. Warenback ,  Thomas M. Rathmann ,  Ninko T. Mirkovich

发明人： Douglas H. Warenback ,  Thomas M. Rathmann ,  Ninko T. Mirkovich

IPC分类号： H01L21/302 ,  C23C14/56 ,  C23C16/54 ,  H01J37/18 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  C23F1/02 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00

CPC分类号： H01J37/18 ,  C23C14/56 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67

摘要： A plasma reactor of the single wafer, planar electrode type achieves improved serviceability by means of a service seal arrangement. The lower electrode of the plasma reactor is carried on a chuck. Both the chuck and the upper portions of the reactor seal to an upper plate of a vacuum containment vessel. A wafer transport mechanism is contained within the vacuum containment vessel. The sealing arrangement allows removal of the upper portions of the reactor and even replacement of the lower electrode without disturbing the vacuum in the vacuum containment vessel.

摘要翻译： 单晶片的等离子体反应器，平面电极类型通过服务密封装置实现了改进的可使用性。 等离子体反应器的下电极承载在卡盘上。 卡盘和反应堆的上部都密封到真空密封容器的上板。 晶片输送机构包含在真空容纳容器内。 密封装置允许去除反应器的上部并且甚至更换下部电极，而不会干扰真空容纳容器中的真空。

公开(公告)号：US4867631A

公开(公告)日：1989-09-19

申请号：US185730

申请日：1988-04-25

申请人： Douglas H. Warenback ,  Josef T. Hoog

发明人： Douglas H. Warenback ,  Josef T. Hoog

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/68707 ,  Y10S414/137

摘要： In apparatus for transporting semiconductor wafers, a spatula contains a single major recess for receiving a wafer. Adjacent one edge of the recess is a shoulder for locating the wafer in the sequence of operations for loading the spatula. As a result of the sequence, the center of the wafer is held at a predetermined, known location.

公开(公告)号：US4780169A

公开(公告)日：1988-10-25

申请号：US48344

申请日：1987-05-11

申请人： Mark M. Stark ,  Douglas H. Warenback ,  David J. Drage

发明人： Mark M. Stark ,  Douglas H. Warenback ,  David J. Drage

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/301 ,  C23F1/02

CPC分类号： H01J37/3244

摘要： A gas inlet having a non-uniform array of inlet holes for the non-uniform introduction of an etching gas into a reaction chamber of a dry etching apparatus. The non-uniform introduction of gas compensates for non-uniform characteristics in the dry etching apparatus resulting in a uniform etch.

摘要翻译： 具有用于不均匀地将蚀刻气体引入干式蚀刻装置的反应室的入口孔的不均匀阵列的气体入口。 气体的不均匀引入补偿了干法蚀刻装置中的不均匀特性，导致了均匀的蚀刻。

公开(公告)号：US4984954A

公开(公告)日：1991-01-15

申请号：US563742

申请日：1990-08-03

申请人： Douglas H. Warenback ,  Josef T. Hoog

发明人： Douglas H. Warenback ,  Josef T. Hoog

IPC分类号： H01L21/687

CPC分类号： H01L21/68707

摘要： In apparatus for transporting semiconductor wafers, a spatula contains a single major recess for receiving a wafer. Adjacent one edge of the recess is a shoulder for locating the wafer in the sequence of operations for loading the spatula. As a result of the sequence, the center of the wafer is held at a predetermined, known location.

摘要翻译： 在用于输送半导体晶片的装置中，刮刀包含用于接收晶片的单个主凹槽。 凹槽的相邻一个边缘是用于沿着用于装载刮刀的操作顺序来定位晶片的肩部。 作为顺序的结果，晶片的中心保持在预定的已知位置。