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公开(公告)号：US07982039B2
公开(公告)日：2011-07-19
申请号：US12648484
申请日：2009-12-29
申请人： Tobin J. Marks , Michael R. Wasielewski , Antonio Facchetti , Michael J. Ahrens , Brooks A. Jones , Myung-Han Yoon
发明人： Tobin J. Marks , Michael R. Wasielewski , Antonio Facchetti , Michael J. Ahrens , Brooks A. Jones , Myung-Han Yoon
IPC分类号： C07D221/22 , H01L21/36
CPC分类号： H01L51/0053 , C07D221/14 , C07D221/18 , C07D471/06 , C09B5/62 , C09B57/08 , H01L51/0545 , Y02E10/549
摘要： Mono- and diimide perylene and naphthalene compounds, N- and/or core-substituted with electron-withdrawing groups, for use in the fabrication of various device structures.
摘要翻译： 用于制造各种器件结构的单和二酰亚胺苝和萘化合物，N-和/或用吸电子基团取代的核心。
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52.发明授权Acene-based organic semiconductor materials and methods of preparing and using the same 有权基于乙烯的有机半导体材料及其制备和使用方法公开(公告)号：US07892454B2
公开(公告)日：2011-02-22
申请号：US11986017
申请日：2007-11-19
CPC分类号： H01L51/0053 , C09B5/62 , H01L51/0545 , H01L51/424 , H01L51/5012 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： Acene-based compounds that can be used to prepare n-type semiconductor materials are provided with processes for preparing the same. Composites and electronic devices including n-type semiconductor materials prepared from these compounds also are provided.
摘要翻译： 可用于制备n型半导体材料的基于乙烯的化合物具有制备它们的方法。 还提供了包括由这些化合物制备的n型半导体材料的复合材料和电子器件。
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公开(公告)号：US20100204475A1
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：US12648484
申请日：2009-12-29
申请人： Tobin J. Marks , Michael R. Wasielewski , Antonio Facchetti , Michael J. Ahrens , Brooks A. Jones , Myung-Han Yoon
发明人： Tobin J. Marks , Michael R. Wasielewski , Antonio Facchetti , Michael J. Ahrens , Brooks A. Jones , Myung-Han Yoon
IPC分类号： C07D471/22
CPC分类号： H01L51/0053 , C07D221/14 , C07D221/18 , C07D471/06 , C09B5/62 , C09B57/08 , H01L51/0545 , Y02E10/549
摘要： Mono- and diimide perylene and naphthalene compounds, N- and/or core-substituted with electron-withdrawing groups, for use in the fabrication of various device structures.
摘要翻译： 用于制造各种器件结构的单和二酰亚胺苝和萘化合物，N-和/或用吸电子基团取代的核心。
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54.发明授权Naphthalene-based semiconductor materials and methods of preparing and use thereof 有权基于萘的半导体材料及其制备和使用方法公开(公告)号：US07569693B2
公开(公告)日：2009-08-04
申请号：US11811902
申请日：2007-06-12
IPC分类号： C07D471/02 , H01L21/20
CPC分类号： C07D471/06 , C09B57/08 , H01L51/0053 , H01L51/0558
摘要： Provided are mono- and diimide naphthalene compounds for use in the fabrication of various device structures. In some embodiments, the naphthalene core of these compounds are mono-, di-, or tetra-substituted with cyano group(s) or other electron-withdrawing substituents or moieties. Such mono- and diimide naphthalene compounds also can be optionally N-substituted.
摘要翻译： 提供用于制造各种器件结构的单和二酰亚胺萘化合物。 在一些实施方案中，这些化合物的萘核心被氰基或其它吸电子取代基或部分单，二或四取代。 这样的单和二酰亚胺萘化合物也可任选地被N-取代。
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55.发明申请Naphthalene-based semiconductor materials and methods of preparing and use thereof 有权基于萘的半导体材料及其制备和使用方法公开(公告)号：US20080021220A1
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：US11811902
申请日：2007-06-12
IPC分类号： C07D471/04 , C07D221/06 , H01L51/00
CPC分类号： C07D471/06 , C09B57/08 , H01L51/0053 , H01L51/0558
摘要： Provided are mono- and diimide naphthalene compounds for use in the fabrication of various device structures. In some embodiments, the naphthalene core of these compounds are mono-, di-, or tetra-substituted with cyano group(s) or other electron-withdrawing substituents or moieties. Such mono- and diimide naphthalene compounds also can be optionally N-substituted.
摘要翻译： 提供用于制造各种器件结构的单和二酰亚胺萘化合物。 在一些实施方案中，这些化合物的萘核心被氰基或其它吸电子取代基或部分单，二或四取代。 这样的单和二酰亚胺萘化合物也可任选地被N-取代。
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56.发明申请Inorganic-organic hybrid thin-film transistors using inorganic semiconducting films 有权使用无机半导体膜的无机 - 有机混合薄膜晶体管公开(公告)号：US20080017854A1
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：US11642217
申请日：2006-12-20
申请人： Tobin Marks , Antonio Facchetti , Lian Wang , Myung-Han Yoon , Yu Yang
发明人： Tobin Marks , Antonio Facchetti , Lian Wang , Myung-Han Yoon , Yu Yang
CPC分类号： H01L51/0562 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/78681 , H01L29/7869
摘要： Inorganic semiconducting compounds, composites and compositions thereof, and related device structures.
摘要翻译： 无机半导体化合物，其复合材料及其组合物以及相关器件结构。
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57.发明申请High-performance field effect transistors with self-assembled nanodielectrics 有权具有自组装纳米电介质的高性能场效应晶体管公开(公告)号：US20070284629A1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：US11725350
申请日：2007-03-19
申请人： Tobin Marks , Peide Ye , Antonio Facchetti , Gang Lu , Han Lin
发明人： Tobin Marks , Peide Ye , Antonio Facchetti , Gang Lu , Han Lin
IPC分类号： H01L29/812
CPC分类号： H01L51/052 , B82Y10/00 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02299 , H01L21/3122
摘要： Field effect transistor devices comprising III-V semiconductors and organic gate dielectric materials, such dielectric materials as can afford flexibility in device design and fabrication.
摘要翻译： 包括III-V半导体和有机栅极介电材料的场效应晶体管器件，诸如能够在器件设计和制造中提供灵活性的介电材料。
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58.发明申请Organic-Inorganic Hybrid Multilayer Gate Dielectrics for Thin-Film Transistors 有权用于薄膜晶体管的有机 - 无机混合多层栅极电介质公开(公告)号：US20160035855A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：US13111699
申请日：2011-05-19
申请人： Tobin J. Marks , Young-geun Ha , Antonio Facchetti
发明人： Tobin J. Marks , Young-geun Ha , Antonio Facchetti
IPC分类号： H01L29/51 , H01L51/05 , H01L29/786
CPC分类号： H01L51/0533 , H01L21/441 , H01L29/24 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66969 , H01L51/0053 , H01L51/0055 , H01L51/0529 , H01L51/0537 , H01L51/0545 , H01L2251/301
摘要： Disclosed are organic-inorganic hybrid self-assembled multilayers that can be used as electrically insulating (or dielectric) materials. These multilayers generally include an inorganic primer layer and one or more bilayers deposited thereon. Each bilayer includes a chromophore or “π-polarizable” layer and an inorganic capping layer composed of zirconia. Because of the regularity of the bilayer structure and the aligned orientation of the chromophore resulting from the self-assembly process, the present multilayers have applications in electronic devices such as thin film transistors, as well as in nonlinear optics and nonvolatile memories.
摘要翻译： 公开了可用作电绝缘（或电介质）材料的有机 - 无机混合自组装多层膜。 这些多层通常包括无机底漆层和沉积在其上的一个或多个双层。 每个双层包括发色团或“＆pgr可极化”层和由氧化锆组成的无机覆盖层。 由于双层结构的规则性和由自组装过程产生的发色团的排列取向，所以本发明的多层膜可用于诸如薄膜晶体管的电子器件，以及非线性光学和非易失性存储器中。
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公开(公告)号：US09035004B2
公开(公告)日：2015-05-19
申请号：US13564664
申请日：2012-08-01
申请人： Antonio Facchetti , Chun Huang , Hualong Pan
发明人： Antonio Facchetti , Chun Huang , Hualong Pan
CPC分类号： C08G61/123 , C08G61/124 , C08G61/126 , C08G2261/1412 , C08G2261/1424 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/344 , C08G2261/411 , C08G2261/512 , C08G2261/59 , H01L51/0043 , H01L51/0558 , H01L51/4253
摘要： Disclosed are molecular and polymeric compounds having desirable properties as semiconducting materials. Such compounds can exhibit desirable electronic properties and possess processing advantages including solution-processability and/or good stability.
摘要翻译： 公开了具有期望性质的分子和聚合物作为半导体材料。 这样的化合物可以表现出所需的电子性质，并具有加工性和/或稳定性好的加工优点。
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公开(公告)号：US08859714B1
公开(公告)日：2014-10-14
申请号：US12827146
申请日：2010-06-30
申请人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti
发明人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti
IPC分类号： C08G69/08
CPC分类号： C08G61/126 , C08G73/06 , C08G2261/3223 , C08G2261/3229 , C08G2261/3246 , C08G2261/3327 , C08G2261/344 , C08G2261/51 , C08G2261/91 , C08G2261/92 , C08G2261/95
摘要： Disclosed are new organic semiconductor materials prepared from polymers based on N-alkyl-2,2′-bithiophene-3,3′-dicarboximide (BTI) repeating units. Such polymers can exhibit desirable electronic properties and can possess processing advantages including solution-processability and/or good stability at ambient conditions.
摘要翻译： 公开了由基于N-烷基-2,2'-二噻吩-3,3'-二甲酰亚胺（BTI）重复单元的聚合物制备的新的有机半导体材料。 这样的聚合物可以表现出所需的电子性质，并且可以具有包括溶液加工性和/或在环境条件下的良好稳定性的加工优点。
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