公开(公告)号：US08089209B2

公开(公告)日：2012-01-03

申请号：US12482085

申请日：2009-06-10

申请人： Min Chen

发明人： Min Chen

IPC分类号： H01J17/16 ,  H01J17/49 ,  H01J17/04

CPC分类号： H01J65/048 ,  H01J61/10

摘要： The present invention comprises a globe shield and an inner disposed inside the shield, between which a low-pressured plasmic arc discharging zone is enclosed. Further, a glass division device near the inner in the discharging zone is coated with fluorescent powder on the surface thereof and is formed by glass or sheet glass having at least one opening defined on the glass to ensure the passage of air. The present invention advantages preferable ruminant efficiency as 15 to 20% higher as that of the conventional products, increasing the thermal resistance between the high-temperature circular discharging zone of the plasmic arc and the power coupler to decrease the heat generated by the corresponding radiation conduction for the inner, so that a large power is enabled by the present invention, accomplishing a performance of 200-300 W of the lighting power, and attaining a 75-85 Lm/W of the ruminant efficiency.

摘要翻译： 本发明包括一个屏蔽罩和一个设置在屏蔽内部的内部，在其间封装一个低压等离子体电弧放电区。 此外，在排出区内部附近的玻璃分割装置在其表面上涂覆有荧光粉，并由玻璃或玻璃板形成，玻璃或玻璃板具有限定在玻璃上的至少一个开口，以确保空气通过。 本发明优选的反刍动物效率优于常规产品的15-20％，提高了等离子体电弧的高温环形放电区与功率耦合器之间的热阻，从而减少了相应辐射传导产生的热量 对于内部，通过本发明能够实现大功率，实现200-300W的照明功率的性能，并获得75-85Lm / W的反刍动物效率。

公开(公告)号：US20110234612A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US12748222

申请日：2010-03-26

申请人： Zhang Wei ,  Min Chen ,  Tsai Chen Jung

发明人： Zhang Wei ,  Min Chen ,  Tsai Chen Jung

IPC分类号： G09G5/02 ,  G09G5/10

CPC分类号： G09G3/3426 ,  G09G2320/0646 ,  G09G2360/144 ,  G09G2360/16

摘要： Embodiments of methods, systems, or apparatuses relating to adjusting a brightness level of at least a portion of a backlight of a display device based, at least in part, on one or more measurements of ambient light values.

摘要翻译： 至少部分地基于对环境光值的一个或多个测量值来调整与显示装置的背光源的至少一部分的亮度水平相关的方法，系统或装置的实施例。

公开(公告)号：USD643401S1

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US29376940

申请日：2010-10-14

申请人： Min Chen ,  Dan Hu

设计人： Min Chen ,  Dan Hu

公开(公告)号：US20110158582A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12649337

申请日：2009-12-30

申请人： Tzung-I Su ,  Ming-I Wang ,  Bang-Chiang Lan ,  Te-Kan Liao ,  Chao-An Su ,  Chien-Hsin Huang ,  Hui-Min Wu ,  Tzung-Han Tan ,  Min Chen ,  Meng-Jia Lin

发明人： Tzung-I Su ,  Ming-I Wang ,  Bang-Chiang Lan ,  Te-Kan Liao ,  Chao-An Su ,  Chien-Hsin Huang ,  Hui-Min Wu ,  Tzung-Han Tan ,  Min Chen ,  Meng-Jia Lin

IPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/136 ,  H01L21/70

CPC分类号： H01L29/78 ,  G02B6/131 ,  G02B6/136

摘要： A method of forming the structure of the semiconductor device having a waveguide. Firstly, a SOI substrate including a bulk silicon, an insulating layer, and a silicon layer is provided and a device region and a waveguide region are defined on the SOI substrate. Afterwards, a protection layer and a patterned shielding layer are formed to cover the waveguide region and expose the device region. Subsequently, a recess is formed by etching the protection layer, the silicon layer and the insulating layer and thereby the bulk silicon is exposed. After that, an epitaxial silicon layer is formed in the recess and a semiconductor device is subsequently formed on the epitaxial silicon layer. Also, the present invention conquers the poor electrical performance of the semiconductor device integrated into the SOI substrate.

摘要翻译： 一种形成具有波导的半导体器件的结构的方法。 首先，提供包括体硅，绝缘层和硅层的SOI衬底，并且在SOI衬底上限定器件区域和波导区域。 之后，形成保护层和图案化屏蔽层以覆盖波导区域并暴露设备区域。 随后，通过蚀刻保护层，硅层和绝缘层，从而暴露体硅，形成凹部。 之后，在凹槽中形成外延硅层，随后在外延硅层上形成半导体器件。 此外，本发明还涉及集成到SOI衬底中的半导体器件的差的电性能。

公开(公告)号：US20110115039A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12621526

申请日：2009-11-19

申请人： Chien-Hsin Huang ,  Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Hui-Min Wu ,  Tzung-I Su ,  Chao-An Su ,  Tzung-Han Tan ,  Min Chen ,  Meng-Jia Lin

发明人： Chien-Hsin Huang ,  Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Hui-Min Wu ,  Tzung-I Su ,  Chao-An Su ,  Tzung-Han Tan ,  Min Chen ,  Meng-Jia Lin

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/02

CPC分类号： H04R19/005 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  H01L29/84

摘要： A micro electro mechanical system (MEMS) structure is disclosed. The MEMS structure includes a backplate electrode and a 3D diaphragm electrode. The 3D diaphragm electrode has a composite structure so that a dielectric is disposed between two metal layers. The 3D diaphragm electrode is adjacent to the backplate electrode to form a variable capacitor together.

摘要翻译： 公开了一种微机电系统（MEMS）结构。 MEMS结构包括背板电极和3D隔膜电极。 3D隔膜电极具有复合结构，使得电介质设置在两个金属层之间。 3D隔膜电极与背板电极相邻，以形成可变电容器。

公开(公告)号：US20110068374A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：US12565154

申请日：2009-09-23

申请人： Tzung-Han Tan ,  Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Tzung-I Su ,  Chien-Hsin Huang ,  Hui-Min Wu ,  Chao-An Su ,  Min Chen ,  Meng-Jia Lin

发明人： Tzung-Han Tan ,  Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Tzung-I Su ,  Chien-Hsin Huang ,  Hui-Min Wu ,  Chao-An Su ,  Min Chen ,  Meng-Jia Lin

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/30

CPC分类号： B81C1/00238

摘要： An integrated circuit (IC) having a microelectromechanical system (MEMS) device buried therein is provided. The integrated circuit includes a substrate, a metal-oxide semiconductor (MOS) device, a metal interconnect, and the MEMS device. The substrate has a logic circuit region and a MEMS region. The MOS device is located on the logic circuit region of the substrate. The metal interconnect, formed by a plurality of levels of wires and a plurality of vias, is located above the substrate to connect the MOS device. The MEMS device is located on the MEMS region, and includes a sandwich membrane located between any two neighboring levels of wires in the metal interconnect and connected to the metal interconnect.

摘要翻译： 提供了一种其中埋有微机电系统（MEMS）器件的集成电路（IC）。 集成电路包括衬底，金属氧化物半导体（MOS）器件，金属互连和MEMS器件。 衬底具有逻辑电路区域和MEMS区域。 MOS器件位于衬底的逻辑电路区域上。 由多层电线形成的金属互连和多个通孔位于衬底上方以连接MOS器件。 MEMS器件位于MEMS区域上，并且包括位于金属互连中的任何两个相邻电平线之间并连接到金属互连的夹层膜。

公开(公告)号：US20100317138A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12849168

申请日：2010-08-03

申请人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Li-Hsun Ho ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su

发明人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Li-Hsun Ho ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  Y10T29/41 ,  Y10T29/49155

摘要： A method for fabricating a MEMS is described as follows. A substrate is provided, including a circuit region and an MEMS region separated from each other. A first metal interconnection structure is formed on the substrate in the circuit region, and simultaneously a first dielectric structure is formed on the substrate in the MEMS region. A second metal interconnection structure is formed on the first metal interconnection structure, and simultaneously a second dielectric structure, at least two metal layers and at least one protection ring are formed on the first dielectric structure. The metal layers and the protection ring are formed in the second dielectric structure and the protection ring connects two adjacent metal layers to define an enclosed space between two adjacent metal layers. The first dielectric structure and the second dielectric structure outside the enclosed space are removed to form an MEMS device in the MEMS region.

摘要翻译： MEMS的制造方法如下所述。 提供了包括彼此分离的电路区域和MEMS区域的衬底。 第一金属互连结构形成在电路区域中的衬底上，并且同时在MEMS区域中的衬底上形成第一电介质结构。 第二金属互连结构形成在第一金属互连结构上，并且同时具有第二电介质结构，至少两个金属层和至少一个保护环形成在第一电介质结构上。 金属层和保护环形成在第二电介质结构中，并且保护环连接两个相邻的金属层以限定两个相邻金属层之间的封闭空间。 除去封闭空间外的第一电介质结构和第二电介质结构，以在MEMS区域中形成MEMS器件。

公开(公告)号：US07851975B2

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：US12202563

申请日：2008-09-02

申请人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Li-Hsun Ho ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su

发明人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Li-Hsun Ho ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su

IPC分类号： H01L41/08 ,  H01L27/20

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  Y10T29/41 ,  Y10T29/49155

摘要： A microelectromechanical system (MEMS) structure and a fabricating method thereof are described. The MEMS structure includes a fixed part and a movable part. The fixed part is disposed on and connects with a substrate. The movable part including at least two first metal layers, a first protection ring and a first dielectric layer is suspended on the substrate. The first protection ring connects two adjacent first metal layers, so as to define a first enclosed space between the two adjacent first metal layers. The first dielectric layer is disposed in the enclosed space and connects the two adjacent first metal layers.

摘要翻译： 描述了微机电系统（MEMS）结构及其制造方法。 MEMS结构包括固定部分和可动部分。 固定部分设置在基板上并与基板连接。 包括至少两个第一金属层，第一保护环和第一介电层的可移动部分悬挂在基板上。 第一保护环连接两个相邻的第一金属层，以限定两个相邻的第一金属层之间的第一封闭空间。 第一介电层设置在封闭空间中，并且连接两个相邻的第一金属层。

公开(公告)号：US07688538B1

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US11941467

申请日：2007-11-16

申请人： Min Chen ,  Duc T. Phan

发明人： Min Chen ,  Duc T. Phan

IPC分类号： G11B21/02

CPC分类号： G11B5/59633 ,  G11B5/59638 ,  G11B5/59666

摘要： A disk drive is disclosed comprising a disk surface having a plurality of servo sectors for defining a plurality of servo tracks, and a head actuated radially over the disk surface. A first servo sector defines a first servo track comprising a first track address having a first width, and a second servo sector defines a second servo track comprising a second track address having a second width substantially less than the first width. In one embodiment the servo sectors are written using an external servo writer or media writer, and in another embodiment the servo sectors are self-servo written by the disk drive.

摘要翻译： 公开了一种磁盘驱动器，其包括具有用于限定多个伺服磁道的多个伺服扇区的磁盘表面，以及沿盘表面径向地致动的磁头。 第一伺服扇区定义包括具有第一宽度的第一轨道地址的第一伺服轨迹，而第二伺服扇区限定包括具有基本上小于第一宽度的第二宽度的第二轨道地址的第二伺服轨迹。 在一个实施例中，使用外部伺服写入器或介质写入器写入伺服扇区，在另一个实施例中，伺服扇区由磁盘驱动器自写入。

公开(公告)号：US20100052179A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12202563

申请日：2008-09-02

申请人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Li-Hsun Ho ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su

发明人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Li-Hsun Ho ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/4763

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  Y10T29/41 ,  Y10T29/49155

摘要： A microelectromechanical system (MEMS) structure and a fabricating method thereof are described. The MEMS structure includes a fixed part and a movable part. The fixed part is disposed on and connects with a substrate. The movable part including at least two first metal layers, a first protection ring and a first dielectric layer is suspended on the substrate. The first protection ring connects two adjacent first metal layers, so as to define a first enclosed space between the two adjacent first metal layers. The first dielectric layer is disposed in the enclosed space and connects the two adjacent first metal layers.

摘要翻译： 描述了微机电系统（MEMS）结构及其制造方法。 MEMS结构包括固定部分和可动部分。 固定部分设置在基板上并与基板连接。 包括至少两个第一金属层，第一保护环和第一介电层的可移动部分悬挂在基板上。 第一保护环连接两个相邻的第一金属层，以限定两个相邻的第一金属层之间的第一封闭空间。 第一介电层设置在封闭空间中，并且连接两个相邻的第一金属层。