公开(公告)号：US20130129599A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13813026

申请日：2011-07-28

申请人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han ,  Sang Myung Kim

发明人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han ,  Sang Myung Kim

IPC分类号： C01B31/36

CPC分类号： C01B32/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/956 ,  C01B2202/04 ,  C01B2202/22 ,  C01B2202/36

摘要： Disclosed are a silicon carbide and a method for manufacturing the same. The method for manufacturing silicon carbide includes mixing a silicon source with a carbon source, and heating a mixture of the silicon and carbon sources to form the silicon carbide. At least one of the silicon source and the carbon source has an average grain size of about 10 nm to about 100 nm.

摘要翻译： 公开了一种碳化硅及其制造方法。 制造碳化硅的方法包括将硅源与碳源混合，并加热硅和碳源的混合物以形成碳化硅。 硅源和碳源中的至少一个具有约10nm至约100nm的平均晶粒尺寸。

公开(公告)号：US20050008820A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：US10750653

申请日：2003-12-31

申请人： Heui Bom Lee ,  Sang Myung Kim

发明人： Heui Bom Lee ,  Sang Myung Kim

IPC分类号： B21D19/08 ,  B21D19/12 ,  B21D39/02 ,  B21D53/88 ,  C23C22/07 ,  B32B3/04

CPC分类号： B21D39/021 ,  Y10T428/24215

摘要： While manufacturing a panel assembly including inner and outer panels through a hemming process, part of the inner panel is compressed to the outer panel and an edge of the inner panel is hemmed with a flange portion of the outer panel such that a gap is formed therebetween.

摘要翻译： 当通过折边工艺制造包括内板和外板的面板组件时，内板的一部分被压缩到外板，并且内板的边缘被外板的凸缘部分卷绕，使得它们之间形成间隙 。

公开(公告)号：US20120201735A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13392269

申请日：2010-08-26

申请人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han ,  Sang Myung Kim

发明人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han ,  Sang Myung Kim

IPC分类号： C01B31/36 ,  B01J19/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  C01B32/956 ,  C04B35/573 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6267 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/63404 ,  C04B35/63408 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/63456 ,  C04B35/63496 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/72

摘要： Disclosed herein is a high-purity carbon silicon pulverulent body manufacturing method and system. That is, a high-purity carbon silicon pulverulent body manufacturing method of the present invention includes the step of producing a mixture consisting of silicon sources and carbon sources in a mixer; and the step of synthesizing silicon carbide (SiC) pulverulent body by heating the mixture at a vacuum degree of larger than 0.03 torr and equal to and less than 0.5 torr and at a temperature of equal to or larger than 1300° C. and equal to and less than 1900° C.

摘要翻译： 本文公开了一种高纯度碳硅粉体制造方法和系统。 也就是说，本发明的高纯度碳硅粉末体制造方法包括在混合器中制造由硅源和碳源组成的混合物的步骤; 以及通过以大于0.03托和等于或小于0.5托的真空度和等于或大于1300℃的温度加热混合物来合成碳化硅（SiC）粉末体的步骤，并且等于或等于 低于1900°C