公开(公告)号：CN119923954A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202380049744.X

申请日：2023-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆水地盐

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、高频电源和控制部。基片支承部设置在腔室内。高频电源构成为能够供给生成源高频电功率以在腔室内从气体生成等离子体。控制部构成为,对单独供给生成源高频电功率时的生成源高频电功率的生成源频率，能够根据以前单独供给生成源高频电功率时的生成源频率和生成源高频电功率的反射程度进行设定，以抑制生成源高频电功率的反射程度。

公开(公告)号：CN119907172A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202510092360.7

申请日：2025-01-21

Applicant: 四川大学

Inventor： 吴丽 ,  王军 ,  彭婕

IPC: H05H1/46 ,  A61L2/14 ,  B08B7/00 ,  H05H1/30 ,  H01P5/12 ,  A61N1/44

Abstract: 本发明公开了一种基于功分器的微波常压等离子体射流阵列，涉及微波常压等离子体领域，包括外腔体以及外腔体上端设置的上腔体，且上腔体的上端设置有金属盖板，所述外腔体的内部设置有内导体。该基于功分器的微波常压等离子体射流阵列，微波低温等离子体更能增加气体分子的激发、电离、和离解过程，激发的亚态原子多，其对气体的电离和离解程度比其它类型的等离子体(如射频电场等离子体)高出一个数量级，等离子体密度大，电离度高，能量大，活性强，更易于发生或引发相关物理、化学反应，因此在依赖于等离子体活性成分的医疗中效率更高，将该等离子体束打在盛有细菌的培养皿或皮肤伤口处，即可将细菌杀死，达到灭菌的效果。

公开(公告)号：CN119896040A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380067160.5

申请日：2023-09-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供一种能够调节离子鞘层的厚度分布的技术。本公开的等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；配置于所述等离子体处理腔室内的基片支承部；配置于所述等离子体处理腔室的上方的天线；源RF信号生成部，其与所述天线电连接，构成为能够生成源RF信号；偏置信号生成部，其与所述基片支承部电连接，构成为能够生成偏置信号；上侧电磁铁单元，其配置于所述天线的上方，具有呈同心圆状排列的多个上侧环状电磁铁；侧壁电磁铁单元，其以包围所述等离子体处理腔室的侧壁的方式配置，且具有沿纵向排列的多个侧壁环状电磁铁；电磁铁激励电路，其构成为能够向所述多个上侧环状电磁铁和所述多个侧壁环状电磁铁中的至少1者供给电流；和控制部，其构成为能够对供给到所述多个上侧环状电磁铁和所述多个侧壁环状电磁铁中的至少1者的电流进行调节，来控制所述等离子体处理腔室内的等离子体电子密度分布。

公开(公告)号：CN119896039A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380063787.3

申请日：2023-07-18

Applicant: 卡普斯医疗有限公司

Inventor： 李奥利得·亚诺维特兹 ,  伊兰·奥列格·乌奇特尔 ,  包里斯·科根

IPC: H05H1/46

Abstract: 用于生成冷等离子体的电源电路；可选为用于治疗用途的等离子体。冷等离子体的生成发生于导管状装置的远端，所述装置是柔性的、狭窄的(例如，直径小于5毫米)，并且纵向延伸至多个体腔内例如50至100厘米。用于功率传输的电缆是发电电路的一部分，其固有阻抗是同步RC电路时间常数的主要影响和限制，所述RC电路的谐振频率同步所述发电频率。在一些实施例中，对所述同步/传输线电路的感应变压器耦合用于生成电压增益。在一些实施例中，变压器耦合被分为多个级。与单级变压器配置相比，这实际上可以实现具有更高增益的高传输频率、降低对所述同步RC电路的远端部分变化的敏感性，和/或更长的传输线。

公开(公告)号：CN119895546A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380060904.0

申请日：2023-08-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 米泽隆宏

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 提供一种在蚀刻膜适当地形成凹部的技术。本公开所涉及的等离子体处理方法是在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，所述等离子体处理装置具备腔室和设置于所述腔室内的基板支承部，所述等离子体处理方法包括以下工序：工序(a)，是准备工序，在所述基板支承部准备基板，所述基板具有作为含有硅的无机膜的含硅膜、以及所述含硅膜上的掩模，所述掩模包含开口宽度为30nm以下的开口图案；以及工序(b)，在所述腔室内生成等离子体，并经由所述掩模对所述含硅膜进行蚀刻来在所述含硅膜形成凹部，其中，所述工序(b)包括以下工序：工序(b‑1)，向所述腔室内供给包含氟化氢的处理气体；工序(b‑2)，在所述腔室内从所述处理气体生成等离子体；以及工序(b‑3)，向所述基板支承部供给偏置信号，所述偏置信号是功率的有效值小于2kW的偏置RF信号、或者电压的有效值小于2kV的包含负极性的DC脉冲的序列的偏置DC信号。

公开(公告)号：CN119856574A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380066602.4

申请日：2023-10-12

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 松尾大辅

IPC: H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种即便在设置多个天线的情况下也可容易地实现紧凑化的等离子体处理装置。等离子体处理装置（1）包括真空容器（2）及天线部（14）。天线部（14）包括：导体（14a1）；两个天线（14b、14c），并联设置；第一电容器（C1a），具有导体侧电极（C11）、及与天线（14b）连接的第一天线电极（C12a）；以及第二电容器（C1b），具有导体侧电极（C11）、及与天线（14c）连接的第二天线电极（C12b）。

公开(公告)号：CN119856573A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380064933.4

申请日：2023-08-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 辻本宏

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、等离子体生成部和偏置电源。基片支承部设置在腔室内。等离子体生成部构成为能够在腔室内从气体生成等离子体。偏置电源构成为能够将多个电压脉冲的序列作为电偏置施加于基片支承部。偏置电源构成为通过调节多个电压脉冲各自的ON期间的长度来调节多个电压脉冲各自的最大电压水平。

公开(公告)号：CN119836740A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202380063640.4

申请日：2023-03-06

Applicant: 株式会社京三制作所

Inventor： 国玉博史 ,  吉田卓矢

IPC: H02M7/48 ,  H02M1/08 ,  H03F3/217 ,  H03K17/687 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的高频电源装置(1)具有：高频放大部(10)，其通过放大元件(11)的开关动作来进行高频放大；栅极驱动部(20)，其向高频放大部(10)的放大元件(11)的栅极端子输入栅极信号来驱动放大元件(11)，高频放大部(10)的放大元件(11)是LDMOSFET，栅极驱动部的开关元件(21)是GaNFET。通过使用LDMOSFET作为放大元件，输出高输出/高频率的高频，通过使用GaNFET作为开关元件，降低开关元件的传播延迟的个体差，抑制进行PWM控制的栅极信号的死区时间DT及脉冲宽度Ton的偏差，从而改善精度和再现性，改善高速响应特性，抑制高频谐振。

公开(公告)号：CN119835849A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510134990.6

申请日：2025-02-07

Applicant: 合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)

Inventor： 刘洋 ,  吴浩 ,  梁立振 ,  胡星光 ,  李超 ,  杨孝龙 ,  刘君旭 ,  王帅

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/54 ,  H05H7/08

Abstract: 本发明涉及等离子体源技术领域，尤其涉及一种应用于正压环境下的射频耦合等离子体源。其技术方案包括气源与所述气源连接的离子源进气接口；与所述离子源进气接口连接的离子源腔室，所述离子源进气接口和所述离子源腔室之间固定有连接组件一，所述离子源腔室底部内固定安装有离子溅射挡板；射频电源，设置于所述离子源腔室的一侧，所述离子源腔室与所述射频电源之间安装有线圈；用于支撑所述离子源腔室的支撑机构。本发明可以满足离子源在正压环境下的使用需求，避免外界压力气体环境对源产生影响，既满足离子源在外界正压环境下的使用条件，又满足射频耦合等离子体源需要频繁更换等离子体腔室的需求，成本低，便于维护更换。

公开(公告)号：CN119817178A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380063466.3

申请日：2023-03-07

Applicant: 株式会社日进

Inventor： 南光正平

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

Abstract: 具备：外部导体(29)，其是在一端侧具有开口部(34)的导电性的波导管；第1电介质(31)，其在外部导体(29)的内部沿着外部导体(29)的主轴线延伸，与供给微波的微波供给线缆(5)连接，将供给来的微波向一端侧传播；以及第2电介质(33)，其以封闭开口部(34)的方式配设，使用第1电介质(31)传播的微波而产生等离子体。