滤波器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118975042A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202380031494.7

    申请日:2023-03-14

    IPC分类号: H01P1/205 H01P1/203 H01P3/12

    摘要: 滤波器(10)具备多个谐振器(11A~11E),该多个谐振器(11A~11E)分别具备通孔电极部(20A~20E)和电容器电极(19A、18B、19C、18D、19E),在位于电介质基板(14)的中心的第1谐振器(11C)具备的第1通孔电极部(20C)被分割为第1部分电极部(20Ca)和第2部分电极部(20Cb),在除了第1谐振器之外的多个谐振器(11A、11B、11D、11E)的各个,各具备一个未被分割的通孔电极部(20A、20B、20D、20E)。

    集成波导及其制作方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN117832797B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410020428.6

    申请日:2024-01-05

    IPC分类号: H01P3/12 H01P11/00

    摘要: 本发明提供了一种集成波导及其制作方法,所述集成波导包括:第一基板层,其一面上形成有第一金属层;第二基板层,其一面上形成有第二金属层;金属围栏,至少有一段金属围栏设置在第一金属层与第二金属层之间,并且连通第一金属层与第二金属层,第一金属层、金属围栏及第二金属层构成波导腔。在本发明中,结合上下两层单面设置有金属层的基板层与中间位置的金属围栏,形成集成波导结构,相比于传统的基于单层基板的内部过孔刻蚀及金属化处理形成的集成波导结构,其工艺过程较为简单,易于加工,易于集成,制作效率高。

    传输线结构、传输线结构的制备方法及终端设备

    公开(公告)号:CN118659105A

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202411143953.3

    申请日:2024-08-20

    摘要: 本申请实施例涉及高频传输线技术领域,提供一种传输线结构、传输线结构的制备方法及终端设备,该传输线结构包括高频传输段、阻抗匹配段以及带状线段。其中,高频传输段是兼顾波导和微带结构优点的传输线,可实现高性能高频信号平面电路,同时,能够传输更高频率的信号,且插损更小,以及,厚度更薄。本申请实施例提供的传输线结构,在能够满足高频信号传输的同时,其传输损耗更低,并且,相较于传统的柔性电路板传输线,该高频传输段的厚度更薄,因而,也便于传输线结构在终端设备内部走线,所占用的空间更小。

    一种毫米波波导传输结构
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118610721A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410782483.9

    申请日:2024-06-18

    IPC分类号: H01P3/12

    摘要: 本发明公开了一种毫米波波导传输结构,包括:第一金属层;第二金属层,设置在所述第一金属层的一侧与第一金属层相贴合,所述的第二金属层上朝向第一金属层的一侧设置有波导传输槽以及设置在所述的波导传输槽两侧的波导阻拦槽,所述的波导传输槽和波导阻拦槽均沿着电磁波的传输方向设置;所述的波导传输槽与第一金属层组成用于传输电磁波信号的波导传输腔,所述的波导阻拦槽与第一金属层组成用于阻止电磁波从第一金属层与第二金属层之间的缝隙泄露的波导阻止腔,通过在波导传输腔的两侧设置波导阻止腔可以实现电磁波在波导传输腔内高效低损耗传输,从而解决现在分层组装波导天线中高频毫米波信号容易从不同层之间的缝隙泄露出去的问题。

    多管芯半导体封装中的经由波导的半导体管芯间通信

    公开(公告)号:CN111149253B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN201780095331.X

    申请日:2017-09-29

    申请人: 英特尔公司

    摘要: 一种内插器层包括集成波导,以促进半导体封装中的半导体管芯之间的高速(例如,高于80GHz)通信。一种内插器层可以包括波导构件以及与波导构件的外周界的至少一部分相邻设置的电介质层。波导构件包括具有第一相对电容率的材料。电介质构件包括具有小于第一相对电容率的第二相对电容率的材料。波导构件和电介质构件形成具有上表面和下表面的内插器层。第一导电薄板可以靠近内插器层的上表面设置,并且第二导电薄板可以靠近内插器层的下表面设置。

    一种具有可承重性的小型化三维超材料微结构及其应用

    公开(公告)号:CN117239431B

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202311287327.7

    申请日:2023-10-07

    IPC分类号: H01Q15/00 H01P3/12

    摘要: 本发明公开了一种具有可承重性的小型化三维超材料微结构及其应用,属于超材料领域,该结构包括基于波导传输基本理论条件及介质基板选材及尺寸限定条件,建立矩形金属波导传输系统,确定超材料的微结构,以波导传输系统所需特定频率透射率最大为设计目标,不断优化微结构尺寸等参数构型获取最优设计变量,即得到在特定频率下具有最大透射率的性能指标;此发明可行性强、可靠性高,满足实际应用中对承载力的要求,具有广阔的应用前景。

    一种矩形波导拐弯及其矩形波导

    公开(公告)号:CN111384473B

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN201811614898.6

    申请日:2018-12-27

    发明人: 杜唐兴 郭建勇

    IPC分类号: H01P1/02 H01P3/12 H01P3/14

    摘要: 本发明公开了一种矩形波导拐弯及其矩形波导,包括输入矩形波导、输出矩形波导和转角,转角包括波导输入部、波导转弯部和波导输出部,波导输入部和波导输出部的波导内壁分别与输入矩形波导和输出矩形波导的波导内壁串接后形成导通的直角拐弯,波导转弯部内设有色散补偿反射器,其包括切角反射器和切角补偿器,切角反射器设置于波导转弯部的波导壁外侧,切角补偿器设置于波导转弯部的波导壁内侧,切角反射器所形成的反射面与切角补偿器所形成补偿面呈平行设置。本发明采用色散补偿反射器,使电磁波经过波导时在色散补偿反射器的作用下进行色散补偿,极大的拓展了矩形波导拐弯的工作带宽,解决了对小体积、宽频带、高性能矩形波导拐弯的需求。

    电介质波导管谐振器以及电介质波导管滤波器

    公开(公告)号:CN114747087B

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202080083366.3

    申请日:2020-10-23

    发明人: 菊田诚之

    IPC分类号: H01P1/208 H01P7/06 H01P3/12

    摘要: 本发明提供一种电介质波导管滤波器(101),具备:电介质板(1),具有相互对置的第一主面(MS1)和第二主面(MS2)、以及将第一主面(MS1)的外缘和第二主面(MS2)的外缘相连的侧面(SS);第一面导体(21),形成于第一主面(MS1);第二面导体(22),形成于第二主面(MS2);侧面导体膜(8A~8D),形成于电介质板(1)的内部,将第一面导体(21)和第二面导体(22)连接;以及内部导体(7A~7D),在相对于第一主面(MS1)垂直的方向上延伸,与第一面导体(21)和第二面导体(22)均不电连接。而且,在由第一面导体(21)、第二面导体(22)以及侧面导体膜(8A~8D)包围的空间构成多个电介质波导管谐振空间。

    跨电气隔离屏障进行高速数据传输的系统和方法

    公开(公告)号:CN118266837A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410399955.2

    申请日:2019-06-05

    摘要: 本申请公开了跨电气隔离屏障进行高速数据传输的系统和方法。示例性医疗系统包括在印刷电路板(PCB)上并且被配置为生成数据的第一电路、在PCB上并且与第一电路电气隔离的第二电路以及PCB上的射频(RF)通信接口组件。RF通信接口组件包括RF发射器、RF接收器和波导,该RF发射器电气地耦合到第一电路并与第二电路电气隔离,该RF接收器与RF发射器不在直接RF信号路径对准中、电气地耦合到第二电路并且与第一电路电气隔离,该波导在RF发射器和RF接收器之间,并且被配置为在RF发射器和RF接收器之间引导表示数据的RF信号。

    太赫兹芯片封装模块
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118249064A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410403169.5

    申请日:2024-04-03

    申请人: 鹏城实验室

    摘要: 本发明提出一种太赫兹芯片封装模块,包括金属外壳、金属共面波导以及太赫兹芯片,金属外壳内形成有弯折连接的第一腔室和第二腔室,第一腔室的一端形成第一接口,第二腔室的一端形成第二接口;金属共面波导穿设于第二腔室,金属共面波导的两端分别对接于第一腔室和第二接口;太赫兹芯片设于金属共面波导,金属共面波导包括沿第二腔室的宽度方向并排设置的信号电极和两地电极;金属共面波导朝向第一腔室的一端形成有第一渐变区域,信号电极的宽度于第一渐变区域朝向第一腔室逐渐增加设置,两地电极的宽度于第一渐变区域朝向第一腔室逐渐减小设置。本申请的技术方案,能够提高太赫兹芯片的信号耦合效率。