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公开(公告)号：CN115528062A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211176690.7
申请日：2022-09-26
申请人： 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/28 , H01L51/05 , H01L23/528 , H01L51/40
摘要： 本公开提供了一种碳纳米管射频场效应晶体管及其制备方法。本公开实施例的碳纳米管射频场效应晶体管包括：衬底、绝缘介质层、碳纳米管有源层、源端接触层、源端导电层、漏端接触层、栅介质层、T型金属栅、背面通孔和背面金属层。本公开实施例的碳纳米管射频场效应晶体管具有较小的寄生电感、较小的栅电阻和较小的衬底寄生电容，可适用于诸如微波毫米波等射频应用领域。
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公开(公告)号：CN115440888A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211208887.4
申请日：2022-09-30
申请人： 中国计量大学
摘要： 本发明公开一种基于金属与电介质混合薄膜源极的柔性垂直沟道场效应管，其从下到上依次结柔性衬底、栅极、栅介质、金属与电介质混合薄膜源极、半导体活性层和漏极；所述金属与电介质混合薄膜采用真空共蒸发、真空共溅射、溶液旋涂、溶胶凝胶方面制备；所述金属与电介质混合薄膜的导电性能和介电性能通过改变混合薄膜中金属与电介质的重量比来调节。本发明具有制备工艺简单、易于通过改变混合薄膜中金属与电介质重量混合比提高器件性能等优点，比较适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN114437315B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202011208595.1
申请日：2020-11-03
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C08G61/12 , C07D417/14 , H01L51/05 , H01L51/54
摘要： 本发明公开一种新型噻唑桥联异靛蓝类受体及聚合物以及它们的制备方法与应用。该聚合物的结构如式I所示，其中，R为C6～C60的直链或支链烷基。本发明还提供式I所示聚合物的制备方法。本发明的原料为商业化产品；合成路线简单；产物构型唯一，产率较高，合成方法具有普适性。以本发明的新型噻唑桥联异靛蓝类聚合物作为有机半导体层来制备有机场效应晶体管，空穴迁移率最高为0.048cm2V‑1s‑1，电子迁移率最高为0.034cm2V‑1s‑1，在有机场效应晶体管的双极性器件中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115425144A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210895522.7
申请日：2022-07-26
申请人： 安庆师范大学
摘要： 本发明公开一种热电子晶体管的制备方法及用其制备的热电子晶体管、应用及应用的方法，涉及有机电子学技术领域。该热电子晶体管主要由发射电极、金属氧化物绝缘层、基电极、有机半导体以及收集电极等五部分组成。其中，发射电极、金属氧化物绝缘层以及基电极所组成的隧道结是一种有效的载流子能量调节器。有益效果：本发明提供了一种新型的热电子晶体管，通过器件结构的设计、每一层材料的选择、制备工艺的优化，提高了热电子晶体管的载流子能量分辨率，通过测试获得的IC‑hot‑VEB曲线监控有机电子器件中载流子的输运过程，精准地提取了器件中金属与有机半导体形成的势垒。
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公开(公告)号：CN115394921A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211118930.8
申请日：2022-09-13
申请人： 南开大学
摘要： 本发明为一种基于三维突触的人工环路模体结构及其制备方法。该结构分为上、中、下三层；底层包括：衬底，衬底上分布有第二金属氧化物掺杂纳米线；L形的第一源极和第一漏极的竖边分列第二金属氧化物掺杂纳米线的两侧；中层为离子胶栅介质层，覆盖在底层上；上层包括L形顶部源级、第一金属氧化物掺杂纳米线、L形顶部漏级；其中，顶部第一金属氧化物掺杂纳米线的投影位置与底层的第二金属氧化物掺杂纳米线呈60～90°夹角；“L型”的第二源极和第二漏极相向而置。本发明可实现突触器件的多端三维调制以及与生物神经环路中相似的相互抑制模式，对未来神经修复以及大规模类脑集成运算存在重要意义。
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公开(公告)号：CN115394801A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211103037.8
申请日：2022-09-09
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种CMOS反相器，由位于同一绝缘基底上的1个或多个p型有机场效应晶体管和相同数量的n型有机场效应晶体管通过导电线连接构筑而成；p型有机场效应晶体管和n型有机场效应晶体管的漏源电极均由同一种导电金属或者导电金属氧化物薄膜和涂覆在所述漏源电极表面的分子或聚合物修饰层构成；p型有机场效应晶体管的修饰层材料为第一修饰材料，用于提高漏源电极的功函数；n型有机场效应晶体管的修饰层材料为第二修饰材料，用于降低漏源电极的功函数；p型有机场效应晶体管和n型有机场效应晶体管的有机半导体层的材料为同一种双极性的有机小分子或者双极性的有机聚合物。本发明能够避免载流子注入势垒较大，降低反相器的频率的问题。
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公开(公告)号：CN115347117A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211004510.7
申请日：2022-08-22
申请人： 云南大学
摘要： 本发明提供了一种叠层源漏电极结构及其制备方法和应用、有机薄膜晶体管及其制备方法，属于有机电子学技术领域。本发明中，叠层源漏电极结构包含一种少数载流子注入阻挡层，能够在导电源漏电极与有机半导体有源层之间形成I型或者II型异质结界面，即，在导电源漏电极与有机半导体有源层之间形成少数载流子的注入势垒，阻挡少数载流子由导电源漏电极注入到有机半导体有源层中，减缓器件沟道中由于少数载流子注入导致的载流子捕获、复合过程，提升有机薄膜晶体管的偏压应力稳定性。且所述少数载流子注入阻挡层不影响多数载流子由导电源漏电极向沟道的注入过程。
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公开(公告)号：CN115215720A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110419849.2
申请日：2021-04-19
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C07C13/62 , C07C2/86 , C07C43/21 , C07C41/14 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/50 , H01L51/54 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开两种含薁单元的石墨烯纳米片段分子——薁并玉红省及其制备方法与应用。其结构式如式Ⅰ或式II所示。本发明通过一步C‑H键环化反应成功合成了两种含有七元环的非苯型多环芳烃，该方法具有高效简单、合成周期短、原料可宏量制备、可合成传统方法无法得到的新型含七元环的非苯型多环芳烃等优点。通过本发明的碳氢键活化方法合成的新型含七元环的非苯型多环芳烃具有独特的光物理和电化学性质，具有良好的光电功能。
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公开(公告)号：CN112687799B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202011510746.9
申请日：2020-12-19
申请人： 复旦大学
IPC分类号： H01L51/40 , H01L51/05 , H01L21/34 , H01L21/683
摘要： 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体一种高结晶度半导体膜转移制造方法。本发明方法利用具有粘度调节特性的热剥离胶带，将在诱导结晶模板上制备的半导体薄膜转移到目标衬底上，实现半导体内高度结晶区域与载流子传输区域的重合，并控制半导体膜分子链的取向排列，优化载流子传输效率，以便获得高电性能的半导体器件，从而实现高电学性能半导体器件的可靠制造。
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公开(公告)号：CN112194116B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202010958812.2
申请日：2020-09-14
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C01B32/159 , C01B32/162 , H01L51/05
摘要： 本发明涉及半导体性富集单壁碳纳米管薄膜制备领域，具体为一种单根分散、半导体性富集单壁碳纳米管薄膜的制备方法。在浮动催化剂化学气相沉积法生长单壁碳纳米管的过程中，在提高氢气含量制备出高质量、单根分散单壁碳纳米管基础上，引入微量氧气刻蚀剂，优先选择性刻蚀化学反应活性较强的单根金属性单壁碳纳米管，从而制备出单根分散的半导体性富集单壁碳纳米管薄膜。利用该薄膜构建了薄膜场效应晶体管器件，其具有优异的性能(电流开关比大于5×104，载流子迁移率达35cm2V‑1S‑1)。本发明首次设计制备出单根分散、半导体性富集的单壁碳纳米管薄膜，对于推动碳纳米管薄膜在高性能柔性电子器件领域的应用具有重要意义。
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