公开(公告)号：CN115394801A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211103037.8

申请日：2022-09-09

Applicant: 清华大学

Inventor： 韩江丽 ,  荣欣 ,  段炼 ,  董桂芳

IPC: H01L27/28 ,  H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10

Abstract: 本发明提供一种CMOS反相器，由位于同一绝缘基底上的1个或多个p型有机场效应晶体管和相同数量的n型有机场效应晶体管通过导电线连接构筑而成；p型有机场效应晶体管和n型有机场效应晶体管的漏源电极均由同一种导电金属或者导电金属氧化物薄膜和涂覆在所述漏源电极表面的分子或聚合物修饰层构成；p型有机场效应晶体管的修饰层材料为第一修饰材料，用于提高漏源电极的功函数；n型有机场效应晶体管的修饰层材料为第二修饰材料，用于降低漏源电极的功函数；p型有机场效应晶体管和n型有机场效应晶体管的有机半导体层的材料为同一种双极性的有机小分子或者双极性的有机聚合物。本发明能够避免载流子注入势垒较大，降低反相器的频率的问题。

公开(公告)号：CN115000302A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210664992.2

申请日：2022-06-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 荣欣 ,  董桂芳 ,  马博泰 ,  韩江丽

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明属于有机半导体器件领域，具体涉及一种源漏电极和有机场效应晶体管器件及其制备方法。本发明提供的有机场效应晶体管器件用源漏电极表面设置有分子或聚合物修饰层，源漏电极材料为ITO，修饰层材料包含叔胺和/或仲胺结构，叔胺、仲胺在表面富集大量正电荷，从而降低功函数。修饰层修饰后，本发明提供的有机场效应晶体管器件用ITO源漏电极功函数降低，浸润性提高，有机场效应晶体管的迁移率显著提高、阈值电压显著降低。

公开(公告)号：CN109856228B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201910041420.7

申请日：2019-01-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 董桂芳 ,  郭航 ,  荣欣

IPC: G01N27/60

Abstract: 本发明提供一种材料识别和分类方法及其系统，其将静电序列不同的一种或者几种已知材料在基板上形成一个或者几个探头的阵列，将被测材料与所述一个或者几个探头的已知材料表面接近、接触或者离开，检测被测材料接近前、接近、接触、离开或者离开后所述一个或者几个探头上的电压或者电流信号，根据所述电压或者电流信号来识别和分类所述被测材料。

公开(公告)号：CN109856228A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910041420.7

申请日：2019-01-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 董桂芳 ,  郭航 ,  荣欣

IPC: G01N27/60

Abstract: 本发明提供一种材料识别和分类方法及其系统，其将静电序列不同的一种或者几种已知材料在基板上形成一个或者几个探头的阵列，将被测材料与所述一个或者几个探头的已知材料表面接近、接触或者离开，检测被测材料接近前、接近、接触、离开或者离开后所述一个或者几个探头上的电压或者电流信号，根据所述电压或者电流信号来识别和分类所述被测材料。

公开(公告)号：CN116033760A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202111233964.7

申请日：2021-10-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 董桂芳 ,  荣欣 ,  田心语 ,  韩江丽

IPC: H10K10/82 ,  H10K10/46 ,  H10K71/60 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明属于有机半导体器件领域，具体涉及一种源漏电极和有机场效应晶体管器件及其制备方法。本发明提供的有机场效应晶体管器件用源漏电极表面设置有原子修饰层，源漏电极材料为ITO，原子修饰层材料为卤素原子。本发明提供的有机场效应晶体管器件用源漏电极可调制ITO表面的功函数，降低电极和半导体之间的接触势垒，大幅度提升OFETs器件的电学性能。