公开(公告)号：CN115461638A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202180030238.7

申请日：2021-03-04

申请人： 新加坡国立大学

发明人： 胡俊雄 ,  阿里安多 ,  陈俊佑 ,  简国威 ,  安东尼奥·埃利奥·卡斯特罗·内托

IPC分类号： G01R33/09 ,  H01L43/00 ,  H01F10/00

摘要： 本发明大体涉及磁电阻传感器及其制造方法。该磁电阻传感器包括被布置在衬底的波纹和/或阶梯式表面上的连续石墨烯层。至少两个导电元件与该石墨烯层接触。该石墨烯层基本上与衬底的波纹和/或阶梯式表面一致。

公开(公告)号：CN114651186A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202080077823.8

申请日：2020-08-17

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 筱龙德

IPC分类号： G01R33/02 ,  H01L43/00

摘要： 磁传感器(1)的特征在于，具有：多个感应元件(31)，所述多个感应元件(31)由软磁体构成，具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，通过磁阻抗效应感应磁场，所述多个感应元件在短边方向上隔着间隙排列；以及连接部(32)，所述连接部(32)将在短边方向上相邻的感应元件(31)的长边方向上的端部连接，连接部(32)随着沿着长边方向接近感应元件(31)而短边方向上的宽度变窄。

公开(公告)号：CN113812011A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202080034256.8

申请日：2020-02-13

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 筱龙德

IPC分类号： H01L43/00 ,  G01R33/02

摘要： 磁传感器1具备：非磁性的基板；和感应元件部31，其设置于基板上且由多个感应元件311、312并联连接而成，所述感应元件由软磁体构成，具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，通过磁致阻抗效应来感应磁场。

公开(公告)号：CN110880343A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910176190.5

申请日：2019-03-08

申请人： 东芝存储器株式会社

发明人： 岩崎刚之 ,  村山昭之 ,  甲斐正 ,  大坊忠臣 ,  远藤将起 ,  大岭俊平 ,  五十岚太一 ,  伊藤顺一

IPC分类号： G11C11/15 ,  H01L21/00 ,  H01L43/00

摘要： 一实施方式的磁存储装置具备磁阻效应元件，所述磁阻效应元件包含非磁性体、及所述非磁性体上的积层体。所述积层体包含所述非磁性体上的第1铁磁体、与所述第1铁磁体交换耦合的反铁磁体、及所述第1铁磁体与所述反铁磁体之间的第2铁磁体，且构成为根据在积层方向内在第1方向上流动的第1电流成为第1电阻，根据在与所述第1方向相反的第2方向上流动的第2电流成为与所述第1电阻不同的第2电阻。

公开(公告)号：CN110832336A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201880039861.7

申请日：2018-05-18

申请人： 朝日英达科株式会社

发明人： 本蔵义信 ,  本蔵晋平

IPC分类号： G01R33/02 ,  H01L43/00

摘要： 为了将上升脉冲检波的线性度改善到0.5％以下，并且发挥上升脉冲检波的优点即磁场灵敏度和线性度，本发明的磁传感器具备在一个线圈(3)中设置两根磁导线(21、22)并使脉冲电流向相反方向流动的结构，该两根磁导线(21、22)具有20G以下的各向异性磁场、并具有两相磁畴结构，该两相磁畴结构由具有周向自旋排列的表面磁畴和沿轴向自旋排列的中央部芯磁畴构成，以0.2～4.0GHz的频率，向磁导线(21、22)施加可在磁导线(21、22)的表面上产生各向异性磁场1.5倍以上的圆周方向磁场所需的强度的脉冲电流。并且，线圈(3)的线圈节距为10μm以下。

公开(公告)号：CN110753850A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201880039654.1

申请日：2018-05-22

申请人： 朝日英达科株式会社

发明人： 本蔵义信 ,  本蔵晋平 ,  工藤一恵 ,  田迈淳一 ,  菊池永喜

IPC分类号： G01R33/02 ,  H01L43/00

摘要： 为了提供由与ASIC一体形成的磁场检测元件构成的超小型高灵敏磁传感器，本发明将形成在ASIC(4)的绝缘保护被膜(10a)上表面的基板皮膜(10b)的厚度设置为1～20μm，在该基板皮膜上(10b)设置深度为1～10μm的沟槽(11)，沿该沟槽(11)的面以埋设线圈的一部分或全部的方式形成元件(1)，元件(1)的电极与ASIC(4)的电极通过贯通绝缘保护被膜(10a)和基板皮膜(10b)的通孔方式电极接合部电连接，自ASIC(4)表面起的元件部的厚度设置为20μm以下。

公开(公告)号：CN105493292B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201380079248.5

申请日：2013-09-30

申请人： 英特尔公司

发明人： D·E·尼科诺夫 ,  S·马尼帕特鲁尼 ,  M·基申维斯凯 ,  I·A·扬

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L43/00

摘要： 实施例包括被实施为自旋逻辑器件的C元件逻辑门，所述C元件逻辑门通过利用自旋电子技术实施C元件来提供异步逻辑的紧凑且低功率的实施方式。实施例包括：包括第一接触部和第一固定磁层的第一纳米柱；包括第二接触部和第二固定磁层的第二纳米柱；以及包括第三接触部、隧道势垒和第三固定磁层的第三纳米柱；其中，(a)所述第一纳米柱、所述第二纳米柱和所述第三纳米柱都形成在自由层之上，(b)所述第三固定磁层、所述隧道势垒和所述自由磁层形成磁隧道结(MTJ)。本文描述了其它实施例。

公开(公告)号：CN109473541A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811594928.1

申请日：2018-12-25

申请人： 黑龙江大学

发明人： 赵晓锋 ,  漆园园 ,  刘红梅 ,  温殿忠

IPC分类号： H01L43/00 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

摘要： 本发明公开了一种异质结硅磁敏三极管及其制作工艺，所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)。本发明所述异质结硅磁敏三极管结构简单，实现了芯片的小型化和集成化；所述制作工艺简单，易于实现，适合规模化工业应用。

公开(公告)号：CN105355780B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201510737115.3

申请日：2015-11-03

申请人： 湖北中部慧易数据科技有限公司

发明人： 刁治涛 ,  李占杰 ,  罗逍

IPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  H01L43/00

摘要： 本发明提供了一种磁性元件、存储器系统及其写操作方法；磁性元件包括磁固定层、非磁性隔离层、磁自由层和覆盖层；非磁性隔离层设置于磁固定层与磁自由层之间；覆盖层连接磁自由层与外部半导体晶体管电路。磁性自由层具有垂直于膜平面方向的退磁能和对应于垂直各向异性的各向异性能。其垂直各向异性能低于垂直于膜平面方向的退磁能。当写电流通过该磁性元件时，通过自旋扭矩传递效应，其磁性自由层可实现在平面方向的平行及反平行磁状态之间切换以达到磁存储的目的。

公开(公告)号：CN105244043B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201410330469.1

申请日：2014-07-11

申请人： 华为技术有限公司 ,  复旦大学

发明人： 林殷茵 ,  杨凯 ,  张树杰 ,  赵俊峰 ,  杨伟 ,  傅雅蓉

IPC分类号： G11B5/02 ,  G11B5/62 ,  H01L43/00

摘要： 本发明提供一种磁性存储轨道和磁性存储器，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，且该过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，包括选通电路和读写装置。由于磁性存储轨道包括多个堆叠的存储轨道单元，从而磁性存储轨道的轨道长度由多个存储轨道单元的轨道长度构成，因此，当增大磁性存储轨道的轨道长度时，可通过增加存储轨道单元实现，避免增加存储轨道单元的轨道长度，从而解决了在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致工艺难度增大的技术问题。