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公开(公告)号：CN110753850B8
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201880039654.1
申请日：2018-05-22
Applicant: 朝日英达科株式会社
Abstract: 为了提供由与ASIC一体形成的磁场检测元件构成的超小型高灵敏磁传感器，本发明将形成在ASIC(4)的绝缘保护被膜(10a)上表面的基板皮膜(10b)的厚度设置为1～20μm，在该基板皮膜上(10b)设置深度为1～10μm的沟槽(11)，沿该沟槽(11)的面以埋设线圈的一部分或全部的方式形成元件(1)，元件(1)的电极与ASIC(4)的电极通过贯通绝缘保护被膜(10a)和基板皮膜(10b)的通孔方式电极接合部电连接，自ASIC(4)表面起的元件部的厚度设置为20μm以下。
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公开(公告)号：CN110869707A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880041416.4
申请日：2018-05-18
Applicant: 朝日英达科株式会社
Abstract: 【课题】开发一种磁式方位·位置测量装置，其在大小足可容纳患者全身的空间中产生三维磁场，在足够大的三维空间中，对内置有磁场传感器的导入装置的方位和位置，实现20μm以下的空间分辨率、0.2度以下的方位分辨率，以及100μm以下的位置误差和1度以下的方位误差。【解决方案】提供一种磁式方位·一测量装置，其包括：能够利用沿X轴、Y轴和Z轴产生的磁场而在预定的三维空间内产生均匀磁场和倾斜磁场的三维磁场发生装置；用于测量磁场强度的单轴的磁场传感器；以及用于算出磁场传感器在三维空间中的位置和方位的运算装置。
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公开(公告)号：CN110753850B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201880039654.1
申请日：2018-05-22
Applicant: 朝日英达科株式会社
Abstract: 为了提供由与ASIC一体形成的磁场检测元件构成的超小型高灵敏磁传感器，本发明将形成在ASIC(4)的绝缘保护被膜(10a)上表面的基板皮膜(10b)的厚度设置为1～20μm，在该基板皮膜上(10b)设置深度为1～10μm的沟槽(11)，沿该沟槽(11)的面以埋设线圈的一部分或全部的方式形成元件(1)，元件(1)的电极与ASIC(4)的电极通过贯通绝缘保护被膜(10a)和基板皮膜(10b)的通孔方式电极接合部电连接，自ASIC(4)表面起的元件部的厚度设置为20μm以下。
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公开(公告)号：CN110073231B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201880004843.5
申请日：2018-05-14
Applicant: 朝日英达科株式会社
Abstract: 【课题】在GSR传感器元件中，上升沿脉冲检波的tm和ti接近，并且在时间tm处感应电压具有相当大的值，并且无法忽略由该磁场引起的波动。从输出电压中去除感应电压，并实现上升沿脉冲检波型GSR传感器。【解决手段】基于感应电压相对于在磁导线中流动的电流方向为正负相反的见解，通过在一个线圈中设置两根电流朝向正负相反方向流动的磁导线，来抵消感应电压，从而能够检测与磁场成比例的电压。
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公开(公告)号：CN110832336A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201880039861.7
申请日：2018-05-18
Applicant: 朝日英达科株式会社
Abstract: 为了将上升脉冲检波的线性度改善到0.5％以下，并且发挥上升脉冲检波的优点即磁场灵敏度和线性度，本发明的磁传感器具备在一个线圈(3)中设置两根磁导线(21、22)并使脉冲电流向相反方向流动的结构，该两根磁导线(21、22)具有20G以下的各向异性磁场、并具有两相磁畴结构，该两相磁畴结构由具有周向自旋排列的表面磁畴和沿轴向自旋排列的中央部芯磁畴构成，以0.2～4.0GHz的频率，向磁导线(21、22)施加可在磁导线(21、22)的表面上产生各向异性磁场1.5倍以上的圆周方向磁场所需的强度的脉冲电流。并且，线圈(3)的线圈节距为10μm以下。
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公开(公告)号：CN110753850A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201880039654.1
申请日：2018-05-22
Applicant: 朝日英达科株式会社
Abstract: 为了提供由与ASIC一体形成的磁场检测元件构成的超小型高灵敏磁传感器，本发明将形成在ASIC(4)的绝缘保护被膜(10a)上表面的基板皮膜(10b)的厚度设置为1～20μm，在该基板皮膜上(10b)设置深度为1～10μm的沟槽(11)，沿该沟槽(11)的面以埋设线圈的一部分或全部的方式形成元件(1)，元件(1)的电极与ASIC(4)的电极通过贯通绝缘保护被膜(10a)和基板皮膜(10b)的通孔方式电极接合部电连接，自ASIC(4)表面起的元件部的厚度设置为20μm以下。
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公开(公告)号：CN110073231A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201880004843.5
申请日：2018-05-14
Applicant: 朝日英达科株式会社
Abstract: 在GSR传感器元件中，上升沿脉冲检波的tm和ti接近，并且在时间tm处感应电压具有相当大的值，并且无法忽略由该磁场引起的波动。从输出电压中去除感应电压，并实现上升沿脉冲检波型GSR传感器。基于感应电压相对于在磁导线中流动的电流方向为正负相反的见解，通过在一个线圈中设置两根电流朝向正负相反方向流动的磁导线，来抵消感应电压，从而能够检测与磁场成比例的电压。
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